英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進展

隨著對 GaN 半導體的需求持續增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 制造正在按計劃進行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準備來擴大其客戶群并鞏固其作為領先 GaN 巨頭的地位。

作為電力系統的領導者，該公司掌握了所有三種相關材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，可實現更小的設計，從而減少智能手機充電器、工業和人形機器人或太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“我們全面擴大的300毫米氮化鎵制造將使我們能夠更快地為客戶提供最高價值，同時朝著同類硅和氮化鎵產品的成本平價邁進。在英飛凌宣布在300毫米氮化鎵晶圓技術方面取得突破近一年后，我們很高興我們的過渡過程進展順利，并且業界已經認識到英飛凌氮化鎵技術的重要性，這得益于我們的IDM戰略。

該公司的制造戰略主要依賴于 IDM 模型，該模型涉及擁有從設計到制造和銷售最終產品的整個半導體生產過程。其內部制造戰略是市場的關鍵差異化因素，具有多項優勢，例如高質量、更快的上市時間以及卓越的設計和開發靈活性。它致力于支持其 GaN 客戶，并可以擴展產能以滿足他們對可靠 GaN 電源解決方案的需求。

憑借其技術領先地位，該公司已成為第一家在其現有的大批量制造基礎設施中成功開發 300 毫米 GaN 功率晶圓技術的半導體制造商。與現有的 200 毫米晶圓相比，在 300 毫米晶圓上生產芯片在技術上更先進，效率更高，因為更大的晶圓直徑允許每個晶圓生產 2.3 倍的芯片。隨著 GaN 功率半導體迅速應用于工業、汽車、消費以及計算和通信應用，例如 AI 系統的電源、太陽能逆變器、充電器和適配器或電機控制系統，需要這些增強的功能，再加上公司龐大的 GaN 專家團隊和業界最全面的 IP 組合。