新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發DesignWare IP核產品組合

臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI

臺積公司N5P工藝上開發的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。

STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器

新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與臺積公司(TSMC)達成合作，在其5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發一系列廣泛的DesignWare?接口IP核、邏輯庫、嵌入式存儲器和一次性可編程非易失性存儲器(NVM)IP核。依托臺積公司5奈米（N5）制程開發的DesignWare IP核解決方案，設計人員能夠在移動和云計算設計方面實現性能、密度和功耗目標。此次合作進一步強化了兩家公司長期合作關系，為設計人員提供降低風險、實現芯片差異化和加快產品上市所需的高質量IP核。

臺積公司設計基礎架構管理部高級總監Suk Lee 表示：“近20年來，臺積公司一直與新思科技緊密合作，在最先進的工藝上提供經驗證的廣泛DesignWare IP核，幫助共同客戶加快推出產品。我們對此次合作成果感到非常滿意，它令設計人員能夠加快其先進的移動和云計算芯片項目的進度，同時獲得臺積公司最新業界領先制程技術所帶來的全面性能和功耗優勢，。”

新思科技解決方案事業部營銷副總裁John Koeter 表示：“作為接口IP核的領先供應商，新思科技持續在最新工藝技術開發高質量IP核方面進行重大投資，讓設計人員能夠獲得性能、功耗和面積優勢，實現芯片差異化。我們與臺積公司合作利用N5P制程開發新思科技DesignWare IP核，幫助設計人員實現其積極的設計目標并加快項目進度。”