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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 2nm soc

        芯片,遇到難題

        • 近,semiengineering 的文章指出,由于復(fù)雜性不斷上升,芯片制造從單片芯片轉(zhuǎn)向多芯片組件,需要進(jìn)行更多次迭代,以及定制化程度不斷提高導(dǎo)致設(shè)計(jì)和驗(yàn)證更加耗時(shí),首次流片的成功率正在急劇下降。從西門子提供的數(shù)據(jù)看,半導(dǎo)體行業(yè)首次流片的成功率已經(jīng)達(dá)到了歷史低點(diǎn)。此外,隨著 2nm 的到來,先進(jìn)制程工藝下的芯片良率也很難提高。芯片遇到了大難題。芯片流片成功率,歷史低點(diǎn)流片對于芯片設(shè)計(jì)來說,就是參加一次大考。流片是檢驗(yàn)芯片設(shè)計(jì)是否成功的關(guān)鍵,就是將設(shè)計(jì)好的方案交給代工廠生產(chǎn)出樣品,檢驗(yàn)設(shè)計(jì)的芯片
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        押注Rapidus 日本2nm芯片制造試產(chǎn)

        • 世界上只有三家公司能夠執(zhí)行大規(guī)模制造最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片的令人難以置信的精度。上個(gè)月,日本的一家初創(chuàng)公司邁出了成為第四家的第一步。Rapidus?在 4 月 1 日實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵的里程碑,它使用與 IBM 合作開發(fā)的配方,基于?IBM 的納米片晶體管結(jié)構(gòu),啟動(dòng)并測試了其 2 納米節(jié)點(diǎn)芯片的試驗(yàn)線。?Rapidus 告訴?IEEE Spectrum,其位于千歲的新晶圓廠安裝了 200 多臺(tái)尖端設(shè)備,包括 Keystone 部件,一個(gè)價(jià)值超過 3 億美元的最先進(jìn)的極紫外&
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        三星代工再遭棄,救命稻草在哪里?

        • 由于三星尖端制程良率偏低,以及美國特朗普政府關(guān)稅政策影響,處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單,進(jìn)而轉(zhuǎn)向了向臺(tái)積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標(biāo)志著三星代工業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達(dá)等科技巨頭價(jià)值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后,再次遭遇重大挫折。
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        臺(tái)積電2nm需求超所有其它制程!蘋果、NVIDIA、AMD都想要

        • 5月6日消息,據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場需求,有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報(bào)道稱,臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程,甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力,有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展,其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng),并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)架構(gòu)。此外,與3nm增強(qiáng)版(N3E)相比,2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場需求方面,蘋果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶,可
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        小米加速芯片自研

        • 據(jù)外媒WCCFtech報(bào)道,小米旗下芯片部門玄戒「Xring」已獨(dú)立運(yùn)營,團(tuán)隊(duì)規(guī)模達(dá)1000人,由高通前資深總監(jiān)秦牧云領(lǐng)導(dǎo)。有消息傳出,小米已完成首款3nm工藝SoC原型測試,進(jìn)入設(shè)計(jì)定案(tape out),預(yù)計(jì)會(huì)在今年發(fā)布。但該芯片將采用Arm現(xiàn)有的設(shè)計(jì)架構(gòu),而非使用任何小米自研核心。根據(jù)代碼提交記錄及供應(yīng)鏈消息,玄戒芯片的硬件架構(gòu)已逐漸清晰,其采用“1+3+4”八核三叢集設(shè)計(jì):采用1顆Cortex-X3超大核(主頻3.2GHz)、3顆Cortex-A715中核(主頻2.6GHz)、4顆Cortex-
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        日本國家半導(dǎo)體計(jì)劃新進(jìn)展:Rapidus國有化打通法律上障礙

        • 日本參議院已通過法律修訂,使政府能夠收購 Rapidus 的股權(quán),這是加強(qiáng)該國下一代半導(dǎo)體行業(yè)的更廣泛努力的一部分,這一步將使得日本政府可以通過法律收購Rapidus股權(quán)并加強(qiáng)對芯片戰(zhàn)略的控制,這也讓Rapidus可能成為未來臺(tái)積電最大的競爭對手之一。 Rapidus成立于2022年8月,Rapidus由軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦,公司地址位于日本東京都千代田區(qū),公司已經(jīng)與IBM達(dá)成合作協(xié)議制造半導(dǎo)體芯片,是日本瞄準(zhǔn)未來先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝的重要企業(yè)。2024年之前,日本本土的數(shù)字工藝產(chǎn)能最多
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        臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率:比3/5/7nm都要好

        • 4月26日消息,在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上,臺(tái)積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況,比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒有給出具體數(shù)據(jù),只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。臺(tái)積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管,目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度,也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來,缺陷率和同期的N5/N4差不多,還稍微低一點(diǎn),同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi),N7/N6的綜合缺陷率是最高的,N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了,
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        臺(tái)積電2nm N2工藝節(jié)點(diǎn)今年投產(chǎn) A16和N2P明年上市

        • 臺(tái)積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上透露,該公司有望在今年下半年開始大批量生產(chǎn) N2(2nm 級)芯片,這是其首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極 (GAA) 納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。這個(gè)新節(jié)點(diǎn)將支持明年推出的眾多產(chǎn)品,包括 AMD 用于數(shù)據(jù)中心的下一代 EPYC“Venice”CPU,以及各種面向客戶端的處理器,例如用于智能手機(jī)、平板電腦和個(gè)人電腦的 Apple 2025 芯片。得益于 GAAFET 和增強(qiáng)的功率傳輸,新的 2nm 節(jié)點(diǎn)將在更高的性能和晶體管密度中實(shí)現(xiàn)切實(shí)的節(jié)能。此外,后續(xù)工藝技術(shù) A16
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        Intel下單臺(tái)積電2nm!用于下代PC處理器

        • 4月22日消息,據(jù)媒體報(bào)道,Intel已加入臺(tái)積電2nm制程的首批客戶行列,計(jì)劃用于生產(chǎn)下一代PC處理器,目前相關(guān)準(zhǔn)備工作正在臺(tái)積電新竹廠區(qū)緊鑼密鼓地進(jìn)行,以確保后續(xù)良率的調(diào)整。臺(tái)積電計(jì)劃在下半年量產(chǎn)2nm制程,近期相關(guān)客戶陸續(xù)浮出水面,此前,AMD已宣布下單臺(tái)積電2nm制程。報(bào)道稱,Intel和臺(tái)積電目前在2nm制程上僅合作一款產(chǎn)品,可能是Intel明年要推出的PC處理器Nova Lake中的運(yùn)算芯片。對于Intel加入的消息,臺(tái)積電表示不評論市場傳聞,也不評論特定客戶業(yè)務(wù),Intel方面也未對相關(guān)消息
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        國產(chǎn)AP SoC,殺出中低端重圍

        • 2024年第四季度,全球智能手機(jī)應(yīng)用處理器(AP SoC)市場格局悄然生變。Counterpoint最新數(shù)據(jù)顯示,聯(lián)發(fā)科(34%)、蘋果(23%)、高通(21%)、紫光展銳(14%)、三星(4%)和華為海思(3%)依次占據(jù)前六位。能夠看到,紫光展銳的市場份額還在持續(xù)的擴(kuò)大,成為繼華為海思之后,又一家在全球AP市場站穩(wěn)腳跟的中國廠商。而市場份額提升最大的地方,就是中低端市場。全球智能手機(jī)AP SoC市場格局我們先來看看全球智能手機(jī) AP SoC市場規(guī)模變化。2022年第四季度,全球智能手機(jī)AP市場中,聯(lián)發(fā)科
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        臺(tái)積電將在美國生產(chǎn)30%的2nm和更先進(jìn)的芯片

        • 臺(tái)積電管理層在周四的公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司計(jì)劃在美國生產(chǎn)其 30% 的 N2(2 納米級)產(chǎn)品,并將其 Fab 21 工廠設(shè)在亞利桑那州鳳凰城附近,這是一個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體制造集群。這家全球最大的芯片合同制造商還表示,打算加快構(gòu)建新的 Fab 21 模塊,以生產(chǎn) N3(3 納米級)、N2 和 A16(1.6 納米級)節(jié)點(diǎn)上的芯片。“完成后,我們約 30% 的 2nm 和更先進(jìn)的產(chǎn)能將位于亞利桑那州,在美國創(chuàng)建一個(gè)獨(dú)立的領(lǐng)先半導(dǎo)體制造集群,”臺(tái)積電首席執(zhí)行官兼董事長 C.C. Wei 在準(zhǔn)備好的講話中說
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        手機(jī)漲價(jià)潮又來了!高通聯(lián)發(fā)科明年擁抱臺(tái)積電2nm:芯片成本大漲

        • 4月17日消息,博主數(shù)碼閑聊站表示,明年蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電2nm,預(yù)計(jì)成本大幅增長,新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。去年10月份,因高通驍龍8 Elite、聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片切入臺(tái)積電3nm工藝,國產(chǎn)品牌集體漲價(jià)。當(dāng)時(shí)REDMI總經(jīng)理王騰解釋,旗艦機(jī)漲價(jià)有兩個(gè)原因,一是旗艦處理器升級最新3nm制程,工藝成本大幅增加;二是內(nèi)存、存儲(chǔ)經(jīng)過持續(xù)一年的漲價(jià),已經(jīng)來到了最高點(diǎn),所以大內(nèi)存的版本漲幅更大。展望明年,高通驍龍8 Elite 3、天璣9600等芯片都將升級為全新的臺(tái)積電2nm制程,成本將會(huì)再度上漲
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        消息稱蘋果/高通/聯(lián)發(fā)科確定明年上臺(tái)積電 2nm,預(yù)計(jì)成本大幅增長

        • 4 月 17 日消息,據(jù)博主@數(shù)碼閑聊站 今日爆料,明年蘋果 / 高通 / 聯(lián)發(fā)科確定上臺(tái)積電 2nm,預(yù)計(jì)成本大幅增長,新機(jī)或許還會(huì)有一輪漲價(jià)。爆料還稱,今年的旗艦處理器 A19 Pro、驍龍 8 Elite 2、天璣 9500 都還會(huì)采用臺(tái)積電 N3P 工藝。對于今年的手機(jī)是否會(huì)漲價(jià),該博主稱“今年還好,子系甚至有準(zhǔn)備降價(jià)的”。臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年下半年將開始量產(chǎn) 2nm 芯片。有消息稱臺(tái)積電 2 納米下半年量產(chǎn)的首批產(chǎn)能已被蘋果包下,將用來生產(chǎn) A20 處理器,蘋果今年仍將穩(wěn)居臺(tái)積電最大客戶。分析師郭明錤
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        比蘋果高通快一步!曝三星率先商用2nm芯片:11月進(jìn)入量產(chǎn)階段

        • 4月12日消息,三星原計(jì)劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500,但由于三星代工部門的3nm良率未達(dá)標(biāo),Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今,三星押注下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據(jù)媒體報(bào)道,三星2nm工藝制程良率已達(dá)40%,預(yù)計(jì)在今年11月正式啟動(dòng)Exynos 2600的量產(chǎn)工作,Galaxy S26系列將會(huì)全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是,芯片制造商通常需達(dá)到70%-80%的
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        小米新款SoC或采用臺(tái)積電N4P工藝,圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8

        • 去年末有報(bào)道稱,小米即將迎來了自己的SoC,已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作,剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單,批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1,搭載于小米5c,對SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道,雖然中國大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺(tái)積電(TSMC)最新的制造工藝,但最新消息指出,相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒有影響到小米,該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過與之前的消息有些不同,小米的自研芯片采用的并非3nm工藝,而是4nm工藝,具體來說是N4P。小米的SoC在C
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