廠商“瘋狂”發力碳化硅

3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。

據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產出。

該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求。

據悉，“John Palmour 碳化硅制造中心”的爬坡將為近期簽訂的客戶協議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業等）提供支持。目前，Wolfspeed在北卡羅來納州達勒姆總部制造了全球超過60%的碳化硅材料，值得一提的是，為擴充產能，Wolfspeed正在開展投資65億美元的產能擴充計劃。

近年來，在新能源汽車、5G、太陽能、光伏等應用領域的強勢帶動下，碳化硅市場需求呈現出井噴式增長的態勢。據TrendForce集邦咨詢此前的數據統計，2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%，預計2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元。

在廣闊的市場前景推動下，全球各大碳化硅相關廠商都在加速布局。近期，國內外又傳來了一批關于碳化硅產業項目的投資、進展。

國際方面，三菱電機預計今年4月將在日本開建新的8英寸SiC工廠，并計劃2026年投入運營；歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應商美爾森通過獲得法國政府投資，擴充SiC襯底產能...

國內方面，天岳先進宣布擬斥資5億元投資“碳化硅半導體材料項目”；天科合達SiC項目二期主體完工；芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產能爬坡；總投資10億的斯科車規級SiC芯片模組項目試生產；浙江麗水大尺寸SiC單晶襯底產業化項目簽約；南通半導體設備用SiC部件項目二期開工；東尼電子擬擴建年產20萬片6英寸碳化硅襯底材料項目...

除了各自發力外，今年以來，廠商之間的合作亦頻頻傳出。

如英飛凌已與SK Siltron簽訂碳化硅晶圓長約、芯動半導體與意法半導體在深圳簽署碳化硅（SiC）戰略合作協議；芯聯集成與理想汽車簽訂戰略合作協議。