根據 TrendForce 最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現貨價格持續上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現貨價格：盡管過去一周現貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現貨價格繼續上漲，而 8Gb DDR4 等
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內存 DDR4 DRAM
全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性存儲器解決方案的商業化。過去兩年，相變內存（PCM）、電阻式隨機存取內存 （RRAM） 和 自旋轉移矩磁阻式隨憶式內存 （STT-MRAM） 已從實驗室走向次22納米節點的試產階段，并運用3D堆疊技術實現高密度，以解決傳統DRAM和NAND閃存在延遲、耐用性和能源效率方面的限制。在臺積電、三星、美光、英特爾等業界領導者的合作下，每年超過50億美元的研發投入加速新材料與制程的成熟。 這
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隨著第二季即將結束，多家內存原廠已展開第三季合約報價談判。 原廠持續執行減產、并調整產品組合，市場供需變化牽動價格走勢分歧，尤以高帶寬記憶體（HBM）、LPDDR4X與DDR4等關鍵產品為觀察重點。根據TrendForce調查，2025年DRAM整體位元產出將年增約25%，但若排除HBM產品，一般型DRAM位年增幅約20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原廠成長幅度僅15%，反映產能資源向HBM傾斜。HBM成為AI服務器核心零組件，供應持續吃緊，特別是HBM3e更面臨嚴重短缺，推升報價動能。在一般型DR
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美光在 2025 財年第三季度的創紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續。這家美國內存巨頭現在目標是到年底占據約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內和海外。美國生產時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發和半導體制造設施——這是
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NewSpace 是指私營公司和初創公司將太空探索商業化，與傳統太空計劃相比，政府的監督通常較少。在對全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動下，NewSpace 計劃旨在將 LEO 衛星星座與物聯網相結合。這些任務通常依賴于較小的衛星，從納米衛星到 250 公斤衛星，并且任務持續時間更短，成本更低，能夠部署大規模 LEO 星座。由于 LEO 的發射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統的軍事或航空航天認證即可提供強大的性能。Infineon
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近日有消息稱，微信正在優化聊天記錄備份的功能，支持U盤等多種存儲設備。對此，微信方面回應稱正在小范圍測試聊天記錄備份功能優化。微信表示，和當前僅支持備份到電腦相比，優化后的功能支持用戶通過手機微信，將聊天記錄備份到外部存儲設備（如U盤、移動硬盤），且可創建及管理多份備份文件，并支持自動備份。目前，該功能更新在持續擴大測試范圍。聊天記錄備份的具體路徑是“微信設置-通用-聊天記錄與遷移-備份與恢復”，如果你的微信在該功能的灰度測試范圍，那么就會看到現在備份與恢復可以選擇“備份到電腦、U盤等多種存儲設備”或“支
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根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現貨價格：與合約市場的情況類似，現貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現貨價格在整個 2Q25
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全球五大NAND Flash原廠同步實施減產，加上美中之間的新關稅政策，帶動買賣雙方在90天寬限期內加速交易與出貨，致使2025年第二季存儲器價格，出現優于預期的反彈走勢。五大NAND原廠同步減產，供給面收縮，助攻內存市場行情，根據調查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、鎧俠與威騰，皆在2025年上半年啟動減產計劃，幅度在10%~15%，以調節供過于求的市場結構。此輪原廠同步減產，對存儲器價格止跌回升形成支撐，加上中美貿易政策變量升高，促使業者加快在政策寬限期內完成交易
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據稱，可靠性和供應鏈問題迫使 Nvidia 推遲 SOCAMM 開發下一代零件。據稱，Nvidia 推遲了即將推出的 SOCAMM 技術的推出，并推出了即將推出的 Blackwell 企業級 GPU。ZDNet 報道稱，SOCAMM 現在計劃與代號為“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初應該與 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即將推出的 Blackwell Ultra 產品，針對工作站而不是服務器。GB300
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三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬內存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎芯片上。目前，HBM 堆棧中的內存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數據、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質量回流 （MR-MUF） 或使用非導電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術進行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內的硅通孔
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三星 HBM4 內存 混合鍵合
一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數測試（DC Parameter Testing）：校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數特性。內存的工作電流與功耗、負載有關，工作電流過高時，將造成功耗過高，給系統造成的負載過大，嚴重情況下將造成系統無法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當漏電流超出閾值時可能造成系統無法正常工作。2、交流參數測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時間、保持時間、訪問時間等時間參數特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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在一項新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發了一種內存鐵電微分器，能夠直接在內存中執行計算，而無需單獨的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機、自動駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設備。圖像處理和運動檢測等任務的傳統方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數據開始，這些數據被傳輸到存儲單元，存儲單元進一步將數據傳輸到微控制器單元以執行差分作。由于差分運算是多項計算任務的基礎，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設備。Tech Xplore
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內存產業在美國對等關稅政策反復變動下，提前出現備貨熱潮。 根據TrendForce最新調查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實質改變內存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內完成交易、生產出貨，預期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關稅寬限期暫時緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進而帶動供應鏈產能，尤其以
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4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。
內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等， [
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