內(nèi)存文章進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個(gè)存儲(chǔ)器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
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DDR3單元測試規(guī)范

一、測試目的DDR3的測試分為三類：1、直流參數(shù)測試（DC Parameter Testing）：校驗(yàn)工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內(nèi)存的工作電流與功耗、負(fù)載有關(guān)，工作電流過高時(shí)，將造成功耗過高，給系統(tǒng)造成的負(fù)載過大，嚴(yán)重情況下將造成系統(tǒng)無法正常工作。存儲(chǔ)芯片也存在漏電流，當(dāng)漏電流超出閾值時(shí)可能造成系統(tǒng)無法正常工作。2、交流參數(shù)測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時(shí)間、保持時(shí)間、訪問時(shí)間等時(shí)間參數(shù)特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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DDR4加速退場，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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在鐵電RAM內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算

在一項(xiàng)新的 Nature Communications 研究中，研究人員開發(fā)了一種內(nèi)存鐵電微分器，能夠直接在內(nèi)存中執(zhí)行計(jì)算，而無需單獨(dú)的處理器。擬議的差異化因素承諾能源效率，尤其是對于智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車和安全攝像頭等邊緣設(shè)備。圖像處理和運(yùn)動(dòng)檢測等任務(wù)的傳統(tǒng)方法涉及多步驟的能源密集型流程。這從記錄數(shù)據(jù)開始，這些數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酱鎯?chǔ)單元，存儲(chǔ)單元進(jìn)一步將數(shù)據(jù)傳輸?shù)轿⒖刂破鲉卧詧?zhí)行差分作。由于差分運(yùn)算是多項(xiàng)計(jì)算任務(wù)的基礎(chǔ)，研究人員利用鐵電材料的特性來制造他們的設(shè)備。Tech Xplore
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備貨熱潮提前到內(nèi)存廠Q2有望價(jià)量齊揚(yáng)

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在美國對等關(guān)稅政策反復(fù)變動(dòng)下，提前出現(xiàn)備貨熱潮。根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實(shí)質(zhì)改變內(nèi)存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內(nèi)完成交易、生產(chǎn)出貨，預(yù)期將推升第二季市場交易熱度，DRAM、NAND Flash價(jià)格也同步上修。TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，盡管關(guān)稅寬限期暫時(shí)緩解市場對需求下滑的疑慮，品牌與通路商仍普遍抱持「降低不確定因素、建立安全庫存」的心態(tài)，拉貨力道顯著升溫，積極提高DRAM及NAND Flash的庫存水位，進(jìn)而帶動(dòng)供應(yīng)鏈產(chǎn)能，尤其以
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認(rèn)內(nèi)存價(jià)格上漲

美光已確認(rèn)其提高內(nèi)存價(jià)格的計(jì)劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強(qiáng)勁。該公司的最新公告表明，隨著供應(yīng)限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本，價(jià)格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價(jià)格上漲之際，內(nèi)存市場正從供應(yīng)過剩和收入下降的時(shí)期反彈。在過去的一年里，由于主要供應(yīng)商的減產(chǎn)以及對高性能計(jì)算和 AI 工作負(fù)載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價(jià)格穩(wěn)步回升。隨著美光確認(rèn)有意提高價(jià)格，三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預(yù)計(jì)將效仿，進(jìn)一步鞏固價(jià)格上漲趨勢。
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帶你探索面向AI邊緣應(yīng)用的創(chuàng)新內(nèi)存解決方案與設(shè)計(jì)

專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?與Micron合作推出了全新電子書，探討內(nèi)存在AI邊緣應(yīng)用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能?(AI)?的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素。Micron是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)連接和移動(dòng)等關(guān)鍵市場領(lǐng)域，為AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和自動(dòng)駕駛汽車的發(fā)展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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下一代HBM4、HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB！中國已追到HBM2

3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器，不但規(guī)格、性能越來越強(qiáng)，HBM內(nèi)存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩(wěn)步前進(jìn)。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布，繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內(nèi)存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級為加強(qiáng)版HBM4E內(nèi)存；而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存。與此同時(shí)，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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Intel傲騰死了中國非易失性存儲(chǔ)重大突破！容量128Gb

2月24日消息，Intel放棄了廣為看好的傲騰存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，與之合作的美光也結(jié)束了3DX Point存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)，但是來自中國的新存科技，卻在非易失性存儲(chǔ)方面取得了重大突破，無論容量還是性能都是一流水準(zhǔn)。新存科技2022年7月成立于武漢，是一家專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)，主要產(chǎn)品包括阻變存儲(chǔ)、相變存儲(chǔ)、鐵電存儲(chǔ)、磁阻存儲(chǔ)，目前員工約200人，其中約90％為研發(fā)人員，碩士及以上學(xué)歷占比77％。去年9月，新存科技發(fā)布了中國首款最大容量新型存儲(chǔ)芯片“NM101”，現(xiàn)在又宣布了非易失性新型存儲(chǔ)芯
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英偉達(dá)被曝研發(fā) SOCAMM 內(nèi)存：694 個(gè) I/O 端口突破 AI 計(jì)算瓶頸

2 月 18 日消息，科技媒體 WccFTech 昨日（2 月 17 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)正積極研發(fā)名為“SOCAMM”的全新內(nèi)存模塊，主要用于 Project DIGITS 等個(gè)人 AI 超級計(jì)算機(jī)，可在性能方面帶來巨大飛躍。該模塊不僅體積小巧，而且功耗更低，性能更強(qiáng)，有望成為內(nèi)存市場的新增長點(diǎn)。目前正與三星電子、SK 海力士和美光等內(nèi)存廠商進(jìn)行 SOCAMM 原型機(jī)的性能測試，預(yù)計(jì)最快將于今年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。援引博文介紹，SOCAMM 擁有最多 694 個(gè) I/O 端口，遠(yuǎn)超 PC DRAM 和
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新一代HBM來了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級成人中指大小

2月17日消息，據(jù)BK最新報(bào)道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動(dòng)其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實(shí)了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽(yù)為新一代HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是系統(tǒng)級芯片高級內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強(qiáng)個(gè)人AI超級計(jì)算機(jī)的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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通過 SDRAM 調(diào)整提升樹莓派的性能

樹莓派工程師調(diào)整了 Pi 的 SDRAM 時(shí)序和其他內(nèi)存設(shè)置，在默認(rèn)的 2.4 GHz 時(shí)鐘下實(shí)現(xiàn)了 10-20%的速度提升。我當(dāng)然要測試超頻，這讓我在 3.2 GHz 時(shí)獲得了 32% 的速度提升！這些更改可能很快就會(huì)在所有 Pi 5 和 Pi 4 用戶的固件更新中推出。樹莓派的工程師們正在進(jìn)一步調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，他們與美光公司進(jìn)行了溝通，并實(shí)施了一系列小的調(diào)整，這些調(diào)整——連同 NUMA 模擬——真正為多核工作負(fù)載帶來了性能提升。甚至對單核也有小小的改進(jìn)！SDRAM 刷新間隔目前使用默認(rèn)數(shù)據(jù)表設(shè)置。實(shí)際上
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗(yàn)）部門交付Galaxy S25系列手機(jī)開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)即將敲定：適應(yīng)AI計(jì)算新需求

隨著人工智能技術(shù)的廣泛應(yīng)用，移動(dòng)產(chǎn)品對內(nèi)存性能的需求日益增長，尤其需要相較LPDDR5X更為高效的數(shù)據(jù)處理能力以支撐端側(cè)AI模型的運(yùn)行。一直懸而未決的LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)入最終的敲定期，預(yù)計(jì)到2025年下半年我們有望看到采用新一代LPDDR6的產(chǎn)品上市。此前有報(bào)道稱，高通第四代驍龍8平臺將支持LPDDR6，以進(jìn)一步提升定制Oryon內(nèi)核的性能。LPDDR6帶來了哪些變化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月發(fā)布。之后，業(yè)界又陸續(xù)發(fā)布了小幅更新、改進(jìn)版的LPDDR
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]