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        內存 文章 進入內存技術社區

        消息稱三星和 SK 海力士達成合作,聯手推動 LPDDR6-PIM 內存

        • 12 月 3 日消息,據韓媒 Business Korea 昨日報道,三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內存產品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能(AI)的低功耗存儲器標準化。報道提到,兩家公司已經確定,有必要建立聯盟,以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱,三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段,正在進行向聯合電子設備工程委員會(JEDEC)注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規格。▲ 圖源三星PIM 內存技術是一種將存儲和計
        • 關鍵字: 三星電子  SK 海力士  內存  

        老對頭三星、SK海力士結盟!聯手推動LPDDR6-PIM內存

        • 12月2日消息,據韓國媒體報道, 在全球內存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士,近日出人意料地結成聯盟,共同推動LPDDR6-PIM內存的標準化。這也意味著兩家公司在面對AI內存技術商業化的共同挑戰時,愿意擱置競爭,共同推動行業標準的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優化的低功耗內存技術的標準化進程,以適應設備內AI技術的發展。隨著設備內AI技術的興起,PIM內存技術越來越受到重視。PIM技術通過將存儲和計算結合,直接在存儲單元進行計算,有效解決了傳統芯片在運行AI算法時的“存儲墻”和“功耗墻
        • 關鍵字: 三星  SK海力士  內存  LPDDR6  

        SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內存,明年初出樣

        • 11 月 4 日消息,SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內存。該產品可實現 48GB 的單堆棧容量,預計明年初出樣。雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內存直到下一世代 HBM4 才會正式商用,但參考內存領域 IP 企業 Rambus 的文章,HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。此外注意到,SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學術會議準備的論文中也提到了可實現 1280G
        • 關鍵字: SK海力士  內存  HBM3E  

        芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內存頻率超頻世界紀錄

        •  10 月 30 日消息,芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄,由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績,通過液態氮極限超頻技術,創下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存,搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下:此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z,超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
        • 關鍵字: 芝奇  內存  DDR5  

        消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業務規模,全力聚焦 HBM 等高利潤產品

        • 10 月 17 日消息,據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業務規模,全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資,同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額,SK 海力士僅以 4% 排在第六位,遠遠落后于競爭對手。同時,SK 海力
        • 關鍵字: SK 海力士  CIS  HBM  內存  

        TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環比增長 14%

        • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出,由于服務器終端庫存調整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
        • 關鍵字: 內存  NAND Flash  

        消息稱三星 1b nm 移動內存良率欠佳,影響 Galaxy S25 系列手機開發

        • IT之家 9 月 4 日消息,據韓媒 ZDNET Korea 報道,三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm (IT之家注:即 12nm 級) LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產,后又在當年 9 月發布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
        • 關鍵字: 三星  內存  DDR5  

        TrendForce:內存下半年價格恐摔

        • 根據TrendForce最新調查,消費型電子需求未如預期回溫,中國大陸地區的智能型手機,出現整機庫存過高的情形,筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買,市場持續萎縮。此一現象,導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤,但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示,2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量,已大幅年減40%,反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰。內存產業雖一向受周期因素影響,但202
        • 關鍵字: TrendForce  內存  DRAM  

        SK 海力士:美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內存意向

        • IT之家 8 月 20 日消息,據韓媒 MK 報道,SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示,M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注:M7 即 Magnificent 7,指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作,與 M7 企業進行電話溝通,并為滿足這些企業的需
        • 關鍵字: 海力士  HBM  內存  

        HBM 帶動,三大內存原廠均躋身 2024Q1 半導體 IDM 企業營收前四

        • IT之家 8 月 13 日消息,據 IDC 北京時間本月 7 日報告,三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM(IT之家注:整合組件制造)企業營收榜單第 1、3、4 位,第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示,數據中心對 AI 訓練與推理的需求飆升,其中對 HBM 內存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升,使總體內存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩,AI PC、智能手機逐步發售,同樣提升
        • 關鍵字: 內存  存儲  HBM  

        小鵬 MONA M03 首批量產車下線 全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內存

        • 8 月 9 日消息,小鵬汽車今日官宣,小鵬 MONA M03 首批量產車下線,全系標配高通 8155 芯片和 16GB 內存。博主@孫少軍09 稱,小鵬 MONA M03的門店展車已經提前到店,開票價 15 萬多,所以起步價只會在 14 萬以下。博主還提到,對于小鵬自己,最麻煩的永遠不是產品本身,而是前幾次上市交不出來(車)的“無語”。所以小鵬這次一定要強調量產下線,這個比其他的都重要。據此前報道,小鵬 MONA M03 已出現在工信部的新車申報名單中,車身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm,
        • 關鍵字: 小鵬  MONA M03  高通   8155 芯片  內存  

        M31X高塔半導體 65納米內存方案問世

        • 全球領先的硅智財供貨商M31宣布與高塔半導體(Tower Semiconductor)達成重要合作里程碑。雙方連手成功開發出65納米制程的SRAM(靜態隨機存取內存)和ROM(只讀存儲器)IP產品,并已將設計模塊交付客戶端完成驗證,為半導體產業帶來全新的先進內存解決方案。M31與高塔半導體共同優化的設計架構,巧妙結合低功耗組件Analog FET(模擬場效晶體管),不僅能夠完美滿足當前SoC芯片對低功耗的嚴格要求,更為未來物聯網(IoT)、智能型穿戴裝置、車聯網(V2X)以及人工智能(AI)等新興應用領域
        • 關鍵字: M31  高塔半導體  65納米  內存  

        消息指 SK 海力士加速 NAND 研發,400+ 層閃存明年末量產就緒

        • IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發,計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備,2026 年二季度正式啟動大規模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業界平均水平。IT之家注:從代際發布間隔
        • 關鍵字: SK海力士  內存  NAND  

        消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業務子公司 Solidigm 在美 IPO

        • IT之家 7 月 29 日消息,綜合外媒《韓國經濟日報》(Hankyung)與 Blocks & Files 報道,SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業務,而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336,E1.L 規格,61.44TB由于內外部因素的共同影響,Sol
        • 關鍵字: SK海力士  內存  NAND  

        HBM4持續加速:AI時代競爭新焦點

        • HBM4是目前發布的HBM3標準的進化版,旨在進一步提高數據處理速率,同時保持基本特性,例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數據集和復雜計算的應用至關重要,包括生成人工智能(AI)、高性能計算、高端顯卡和服務器。
        • 關鍵字: HBM  AI  內存  
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        內存介紹

        【內存簡介】   在計算機的組成結構中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存,港臺稱之為記憶體)。   內存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細 ]

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