6月2日消息,臺北電腦展2024的展前主題演講上,NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構,以及全新CPU+GPU二合一超級芯片,一直規劃到了2027年。黃仁勛表示,NVIDIA將堅持數據中心規模、一年節奏、技術限制、一個架構的路線,也就是使用統一架構覆蓋整個數據中心GPU產品線,并最新最強的制造工藝,每年更新迭代一次。NVIDIA現有的高性能GPU架構代號"Blackwell",已經投產,相關產品今年陸續上市,包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
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IT之家 5 月 30 日消息,綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道,南亞科技在昨日的年度股東常會上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產,涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產,明年進一步提升產量。此外南亞科技還在 1B nm 節點規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
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南亞科技 內存 DRAM
IT之家 5 月 29 日消息,SK 海力士計劃在 HBM4E 內存中集成更多功能,從而將 HBM 產業推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內存,嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網絡存儲器等多種功能的 HBM 類型,進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道,該方案目前依然停留在概念階段,不過 SK 海力士已經著手設計相關 IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內存控制器,內存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上,賦予第
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近期,日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠,用于生產DRAM芯片,美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工,并安裝EUV設備,最快2027年投入運營。據悉,美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用,然而由于當前市場環境的挑戰和不確定性,美光調整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導體大廠赴日建廠,美光同樣可以獲得補貼。2023年10月,日本經濟產業省正式宣布,將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼,以支持在日研發下一代芯片。
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有報導稱,三星的高頻寬存儲器(HBM)產品因過熱和功耗過大等問題,未能通過Nvidia品質測試,三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱,三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試,強調將繼續合作,確保品質和可靠性。三星聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應,努力提高所有產品品質和可靠性,也嚴格測試HBM產品的品質和性能,以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產第五代HBM產品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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當前低功耗問題仍是業界關心重點。根據國際能源署(IEA)最近報告顯示,考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh,OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh,每天進行90億次搜索,每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預計銷售的AI服務器需求來看,到2026年,AI行業可能會呈指數級增長,消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術官Ahmad Bahai此前表示,最近,除了云端之外,AI服務還轉向移動和PC設備,這導致功耗激增,因此這是一個關鍵的討論話題。因應市場需求,目前業界正積極致力于
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IT之家 5 月 22 日消息,在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上,SK 海力士帶來了多款存儲領域新品,涵蓋內存、固態硬盤品類。在消費級固態硬盤領域,SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規格,支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規格,可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率,IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能,預計將強于此前推出的 BC901。而在企業級固態硬盤方面,SK 海力
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IT之家 5 月 22 日消息,美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示,美光 2025 年 HBM 內存供應談判基本完成。美光高管代表宣稱,其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規模和價格。美光預計 HBM 內存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創造數億美元量級的營收,而在 25 財年相關業務的銷售額將增加到數十億美元。美光預測,未來數年其 HBM 內存位元產能的復合年增長率將達到 50%。為了應對 HBM 領域的強勁需求,美光調升了本財年資本支出的預計規模,從 75~80 億美
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IT之家 5 月 20 日消息,各位網友,你有發現現在組裝一臺電腦越來越貴了嗎?除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外,內存和固態硬盤的價格也水漲船高,基本上所有零件都處于漲價狀態。固態硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點,甚至連 DDR5 內存的價格似乎也已觸底。然而,這一切都將在 2024 年下半年發生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點,簡要介紹如下:固態硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態硬盤價格,從 2023 年 10 月左右開
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IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道,三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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近兩年,DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡,此外在存儲器市場經歷低迷后,供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少,更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存,全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存,很可能帶動DDR3內存的價格上漲,預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3;而SK海力士則在去年
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內存管理子系統可能是linux內核中最為復雜的一個子系統,其支持的功能需求眾多,如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統計等,而且對性能也有很高的要求。本文從內存管理硬件架構、地址空間劃分和內存管理軟件架構三個方面入手,嘗試對內存管理的軟硬件架構做一些宏觀上的分析總結。內存管理硬件架構因為內存管理是內核最為核心的一個功能,針對內存管理性能優化,除了軟件優化,硬件架構也做了很多的優化設計。下圖是一個目前主流處理器上的存儲器層次結構設計方案。從圖中可以看出,
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TrendForce集邦咨詢針對403震后各半導體廠動態更新,由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區域,加上臺灣地區的半導體工廠多以高規格興建,內部的減震措施都是世界頂尖水平,多半可以減震1至2級。以本次的震度來看,幾乎都是停機檢查后,迅速復工進行,縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管,導致在線晶圓破片或是毀損報廢,但由于目前成熟制程廠區產能利用率平均皆在50~80%,故損失大多可以在復工后迅速將產能補齊,產能損耗算是影響輕微。DRAM方面,以位于新北的南亞科(Nanya)Fab3A,以及美光(Mic
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3 月 20 日消息,本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上,英偉達首席執行官黃仁勛表示:“HBM 內存不僅生產難度高,而且成本非常高,我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術奇跡”(technological miracle),相比較傳統 DRAM,不僅可以提高數據中心的性能,功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前,網絡上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內存,而在本次吹風會上,黃仁勛正面表示:“三星是一家非常非常優秀的公司”(Samsung is a v
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3 月 20 日消息,三星電子 DS(設備解決方案)部門負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在今日的三星電子股東大會上宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示,Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術驗證,正處于 SoC 設計階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的 AI 系統。韓媒 Sedaily 報道指,Mach-1 芯片基于非傳統結構,可將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有 AI 芯片的 1/8。此外,該芯
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內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存,港臺稱之為記憶體)。
內存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等, [
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