在不同AI運算領域中，依照市場等級的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運算中心的人工智能、機器學習與圖形處理的超高速運算與傳輸需求；一種是一般企業的AI服務器、一般計算機與筆電的演算應用；另一種是一般消費電子如手機、特殊應用裝置或其它邊緣運算的應用。現階段三種等級的應用，所搭配的內存也會有所不同，等級越高內存的性能要求越高，業者要進入的門坎也越高。不過因為各類AI應用的市場需求龐大，各種內存的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
關鍵字：
高速運算平臺 內存 AI 內存需求
內存是現代電子產品不可或缺的組件，隨著科技的進步，內存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應用帶來了新的機遇和挑戰。本文將從應用端出發，探討各類內存的機會與挑戰。動態隨機存取內存（DRAM）DRAM是當前計算器系統中最常見的主存儲器技術，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應用于PC、服務器、移動設備和游戲機中。隨著人工智能和大數據應用的興起，DRAM的需求持續增長，尤其是在需要高速數據處理和低延遲的應用場景。DRAM的主要挑戰在于其揮發性和功耗問題。DRAM需要持續供電以維持數據，這限制了其在移動
關鍵字：
應用端 內存
韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估，集團整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創下營業利益高達10.8兆韓元以后，全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
關鍵字：
三星 內存
什么是 GDDR7 內存？它是用于 GPU 的下一代圖形內存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產品，為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存（用于“圖形雙倍數據速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
關鍵字：
GDDR7 內存 圖形VRAM 美光 三星
IT之家 6 月 28 日消息，美光在業績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應，而紐約（州）的建設資本支出預計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
關鍵字：
美光 內存 晶圓廠
據韓媒報導，隨著AI應用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務器用的DRAM和企業級NAND閃存的價格15～20％。 臺系內存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產業旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據外電報導指出，三星電子第二季已將供應給企業的NAND閃存價格，調
關鍵字：
三星 內存
HBM 商機稍縱即逝，需要抓緊時間。
關鍵字：
內存
IT之家 6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道
關鍵字：
HBM 內存 三星
就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、內存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角，更是使用者體驗能否優化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業者也已做好準備，準備在這些領域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設計有商機對整個AI運算來說，最關鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術供貨商，但在AI ASIC芯片設計服務與IP供應方面，則是擁有不少的業者，而且其中不乏領頭羊的先進業者。在AI ASIC芯片設計方面，
關鍵字：
IC設計 PCB 散熱 處理器 內存 AI
6月5日，美光科技宣布出樣業界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術和創新架構，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優化工作負載，從而實現更快的響應時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現了更優的散熱和續航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
關鍵字：
美光 GDDR7 內存
據JEDEC（固態技術協會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內存標準。DDR6內存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進至21GHz，遠超DDR4和DDR5內存。CAMM2是一種全新內存標準，同樣支持DDR6標準內存，也就是適用于臺式PC等大型PC設備。JEDEC預計，將在今年內完成DDR6內存標準的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內存產
關鍵字：
DDR6 內存 存儲
6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數據中心規模、一年節奏、技術限制、一個架構的路線，也就是使用統一架構覆蓋整個數據中心GPU產品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現有的高性能GPU架構代號"Blackwell"，已經投產，相關產品今年陸續上市，包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
關鍵字：
NVIDIA Rubin GPU Vera CPU 3nm工藝 HBM4 內存
IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產，涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產，明年進一步提升產量。此外南亞科技還在 1B nm 節點規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
關鍵字：
南亞科技 內存 DRAM
IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內存中集成更多功能，從而將 HBM 產業推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網絡存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經著手設計相關 IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內存控制器，內存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上，賦予第
關鍵字：
SK海力士 內存 HBM4E
近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設備，最快2027年投入運營。據悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當前市場環境的挑戰和不確定性，美光調整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經濟產業省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發下一代芯片。
關鍵字：
美光 存儲 內存
內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。
內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等， [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473