英飛凌迎接新太空應(yīng)用的內(nèi)存市場挑戰(zhàn)

NewSpace 是指私營公司和初創(chuàng)公司將太空探索商業(yè)化，與傳統(tǒng)太空計(jì)劃相比，政府的監(jiān)督通常較少。

在對(duì)全球連接（直接到蜂窩）的需求不斷增長的推動(dòng)下，NewSpace 計(jì)劃旨在將 LEO 衛(wèi)星星座與物聯(lián)網(wǎng)相結(jié)合。

這些任務(wù)通常依賴于較小的衛(wèi)星，從納米衛(wèi)星到 250 公斤衛(wèi)星，并且任務(wù)持續(xù)時(shí)間更短，成本更低，能夠部署大規(guī)模 LEO 星座。

由于 LEO 的發(fā)射成本較低且輻射暴露較少，許多 NewSpace 應(yīng)用可以從 COTS 組件中受益，這些組件無需傳統(tǒng)的軍事或航空航天認(rèn)證即可提供強(qiáng)大的性能。

Infineon 的 NewSpace 存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合包括三個(gè)產(chǎn)品系列：低功耗、耐輻射 FRAM;QSPI NOR 閃存具有 256 Mbit 和 512 Mbit 密度;和 256 Mbit/512 Mbit 偽靜態(tài) RAM （pSRAM）。

FRAM 在 -55°C 至 +125°C 的寬 MIL 溫度范圍內(nèi)工作，而 NOR 閃存和 pSRAM 器件支持 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍。 輻射耐受性表明，F(xiàn)RAM 的總電離劑量 （TID） 額定值為 50 krad（Si），NOR Flash 為 30 krad（Si），pSRAM 為 100 krad（Si）。

其他優(yōu)勢包括單批號(hào)日期代碼和 100% 電氣測試，以確保可靠的任務(wù)運(yùn)行。憑借這些特性，Infineon 的內(nèi)存產(chǎn)品非常適合短時(shí)間、高冗余和大規(guī)模的 LEO 星座。

Infineon 的 pSRAM 是 NewSpace 的首款同類產(chǎn)品，提供獨(dú)特的存儲(chǔ)器類型，其存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似于 DRAM，但外部則類似于靜態(tài) RAM （SRAM）。pSRAM 是一種低功耗、高性能和低引腳數(shù)的解決方案，非常適合高吞吐量數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用。

除了 NewSpace 存儲(chǔ)器解決方案外，Infineon 的 IR HiRel 團(tuán)隊(duì)還為商業(yè)航天市場提供廣泛的耐輻射功率器件產(chǎn)品組合。

該產(chǎn)品組合采用針對(duì) 2 至 5 年 LEO 任務(wù)優(yōu)化的功率 MOSFET。這些器件提供 60 V 和 150 V N 溝道和 P 溝道版本，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，采用塑料封裝，可選擇表面貼裝和通孔安裝。這些設(shè)備的額定 TID 為 30 krad（Si），支持現(xiàn)代 LEO 任務(wù)的輻射要求。