頻率競速10000MHz，朗科將研發超高頻DDR5電競內存

Intel在CES 2021展會對第12代酷睿Alder Lake做了官方預熱，除了引入全新內核微架構和大小核設計外，最為重要的是支持下一代DDR5內存。目前各大主板廠也已開始設計下一代Intel 600系列主板，經歷過DDR4產品的200~400系列主板，廠商已深知對內存投入研發可以間接提升主板品牌高度，因此全新的DDR5內存也將成為主板廠商研發競速的因素。

朗科研發的超高頻DDR5電競內存：頻率競速10000MHz，較市面上DDR4提升1倍以上

人類對速度的追求是永無止境的，在電競電腦領域里，影響電腦游戲性能指標的配件有CPU/內存/顯卡，而直接影響游戲性能的除了架構設計之外最為重要的參數便是產品的工作頻率。CPU配件里Intel與AMD品牌產品，在近10年CPU的主頻發展緩慢，始終停留在4500~5300MHz左右；顯卡配件里NVIDIA和AMD的產品GPU頻率發展則更為緩慢，目前最高GPU核心頻率為2581MHz（RX 6700 XT）；內存則發展較為迅速，它經歷了DDR3到DDR4轉變，工作頻率一路逼近并超越CPU主頻，目前DDR4內存最高的工作頻率為5600MHz。

圖片來源：朗科

雖然JEDEC制定了不同種類內存的規范，但在電競市場中各內存品牌廠商都會進行研發推出更高性能的內存產品，如DDR3內存JEDEC規范中內存頻率最高為1600MHz，但在DDR3后期有2800~3200MHz頻率的內存產品；DDR4內存JEDEC規范主流從2133~3200MHz，但當下DDR4高性能內存已發展到4800~5600MHz；DDR5作為下一代高性能內存規格，JEDEC規范了DDR5內存工作頻率范圍為3200~8400MHz，相比DDR4提高了1.6倍以上的工作頻率，朗科內存產品總監表示，在結合內存性能的過往發展/研發路程以及對玩家速度的追求，將投入研發可達10000MHz以上的DDR5內存產品。

圖片來源：朗科

基于美光先進1Znm技術的DDR5 ES顆粒已到貨，朗科欲搭DDR5應用起飛的快車

作為本土存儲品牌朗科早在2018年便進入內存行業，并在近期推出新款電競/國產化內存產品，目前朗科DDR5內存也已進入研發階段，首批DDR5 DRAM內存顆粒已抵達研發總部。

朗科首批到的是Micron DDR5 ES顆粒，IC編號為Z9ZSB，根據Micron官網查詢為ES樣品，顆粒容量為2Gx8（16Gb），工作時序為40-40-40，是基于美光1znm工藝制造，尺寸為11x9mm。

圖片來源：朗科

美光是全球主要的DRAM供應商，工廠產能全球化分布，據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據，2020年DRAM收入同比增長9%達674億美元，三星以42.8%的市占排名第一，SK海力士以29.2%份額排名第二，美光市占份額23%，排名第三。

在DRAM技術上，三星、美光、SK海力士已全面進入1Znm工藝時代，而且美光早在2020年初就將1Znm制程的DDR5 RDIMM送樣給客戶，同時為分銷商，增值經銷商和OEM/ODM等產業鏈合作伙伴提供技術咨詢、協調等，積極推動DDR5產品應用到市場。此外，美光1-alpha DRAM已實現了量產，并計劃在2022下半年將1-alpha技術導入到DDR5中，更先進的技術將推動bit產量的增加，以及推動成本的降低。

不僅僅是美光，三星高達512GB容量的DDR5模塊也已對客戶進行送樣，顯然DDR5市場應用的契機已經到來。憑借對DDR5未來前景的看好，尤其是對電競市場的期待，再加上與國際大廠合作，朗科欲搭載DDR5市場應用起飛的列車，將獲得更多的市場商機，以及助力朗科在市場上提升競爭力。