馮·諾依曼架構將繼續存在，但人工智能需要新的架構，3D 結構需要新的測試工具。
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內存 HBM
三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。三星去年9月推出了業界首款且容量最高的32 Gb
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三星 內存 DRAM 芯片 美光
1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以內。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個數等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平
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華邦電子新年展望——技術發展不可阻擋，內存市場趨穩求進
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華邦電子 內存
內存產業復蘇明確，包括旺宏、南亞科、創見、鑫創、廣穎、鈺創、商丞等七家公司，去年12月營收呈現月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續漲。然全球第二大內存生產商SK海力士計劃階段性擴產，為內存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產幅度，NAND Flash生產策略可能視情況在第二季或第三季跟著調整。針對內存大廠有意擴產，國內存儲器廠商則認為，海力士擴廠應集中在DDR5和HBM（高帶寬內存）產品為主，因為臺灣目前產品主攻DDR4，不致影響產品報價。TrendForc
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DDR5 HBM 內存 TrendForce
據韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智能（AI）半導體相關業務，由現任全球銷售營銷部門負責人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內部的高帶寬內存（HBM）能力和功能，還將主導新一代HBM芯片等人工智能技術的發展，尋找并開發新市場。
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美光云計算高級業務發展經理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴重的聽力障礙，即使佩戴助聽器也很難聽清別人在說什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識別他們的唇語，努力理解他們的話語。而當多人進行交談時，她常常會感到迷茫。Eric 萌生了一個想法：為何不用祖母的智能手機幫她來“傾聽”呢？他打開手機的記事簿功能，按下麥克風按鈕，向她展示了手機如何將他的話轉錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現在可以參與到從前無法進行的對話中。”這也讓我們看到了該技術如何切實改善了言語、語
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NAND Flash現貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠商，則有創見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數
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內存 ?NAND Flash DRAM
當地時間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內存，速度高達8000MT/s，可支持當前和未來的數據中心工作負載。據美光介紹，該產品采用美光1β(1-beta)技術，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓練性能提升高達28%。該產品旨在滿足數據中心和云環境中各種關鍵任務應用程序的性能和數據處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數據庫(IMDB)）以及多線程、多核計數一般計算工作負載的高效處
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美光科技 內存 芯片
IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨家供應 HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達提供 HBM3。有分析師預測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導體業務業績將在明年迅速復蘇。一些猜測認為，三星電子可能會在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應 HBM3 內存，但由于 AMD 在該市場的主導地位并不大，因此據說供應有限。市場研究公司 Trend Force 預測，SK 海
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不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設備中使用的普通芯片需求持續低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設備的 DRAM 芯片的業務，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業務…… 預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續改善。仍然虧損的 NAN
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SK海力士 人工智能 內存
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節點技術，推出 16Gb DDR5 內存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經開始向數據中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產品線提供 4,800 MT/s 至 7
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據媒體引述內存模組制造商表示，主要半導體制造商正在增加DDR5內存的可用容量，該內存預計將在2024年成為主流。預計到2023年底，他們的DDR5內存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數據速率同步動態隨機存取內存，又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在帶寬，頻率上優勢都是非常明顯的。今年來，DDR5的動態頻繁傳來：三星方面，該公司于今年5月量產12納米級16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功開發12nm級32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
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臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構集成制造及相關研發的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應用的不斷發展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構集成已成為滿足未來高性能計算需求、延續摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項芯片堆疊技術的新專利，顯示了該公司在芯片技術領域的創新實力。這項專利提供了一種簡化芯片堆疊結構制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術難題。堆疊技術可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進一步推動芯片技術的進步。盡管目前該專利與將兩個 14nm 芯片堆疊成
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CPU EDA 內存
內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港臺稱之為記憶體）。
內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等， [
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