全面現貨供應、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology(金士頓)合作,向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一,Kingston面向各種規模的工業和嵌入式OEM客戶,提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統設計師和制造者打造的工業級 SATA 和 NVMe 固態硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作,提供
關鍵字:
DigiKey 內存 存儲 Kingston Technology
IT之家 7 月 22 日消息,據外媒 Tomshardware 報道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品,并支付專利使用費。長江存儲指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
關鍵字:
長江存儲 NAND 美光 內存
據《ZDNet Korea》報道,三星電子存儲部門新業務規劃團隊董事總經理Choi Jang-seok近日表示,即將推出的內存模塊被指定為CMM-D2.0,將符合CXL2.0協議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術生產的DRAM內存顆粒。除了CMM-D模塊,三星還在開發一系列CXL存儲產品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內存盒模塊,以及將DRAM內存與NAND閃存顆粒相結合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調,隨著CXL3.1技術的采用,CXL內存資源可以在多
關鍵字:
存儲 CXL 內存
7 月 13 日消息,韓媒 businesskorea 報道,英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”,為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動(其影響力可以認為是半導體行業的 CES 大展),包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術,促進了合作與創新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM,特別是革命性的 HBM4 內存,它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道,SK 海力士總裁 Kim Joo-
關鍵字:
英偉達 臺積電 SK 海力士深 HBM4 內存
在不同AI運算領域中,依照市場等級的需要,大致上可以分成三種,一種是作為高性能運算中心的人工智能、機器學習與圖形處理的超高速運算與傳輸需求;一種是一般企業的AI服務器、一般計算機與筆電的演算應用;另一種是一般消費電子如手機、特殊應用裝置或其它邊緣運算的應用。現階段三種等級的應用,所搭配的內存也會有所不同,等級越高內存的性能要求越高,業者要進入的門坎也越高。不過因為各類AI應用的市場需求龐大,各種內存的競爭也異常的激烈,不斷地開發更新產品,降低成本,企圖向上向下擴大應用,所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
關鍵字:
高速運算平臺 內存 AI 內存需求
內存是現代電子產品不可或缺的組件,隨著科技的進步,內存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升,為各種應用帶來了新的機遇和挑戰。本文將從應用端出發,探討各類內存的機會與挑戰。動態隨機存取內存(DRAM)DRAM是當前計算器系統中最常見的主存儲器技術,具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應用于PC、服務器、移動設備和游戲機中。隨著人工智能和大數據應用的興起,DRAM的需求持續增長,尤其是在需要高速數據處理和低延遲的應用場景。DRAM的主要挑戰在于其揮發性和功耗問題。DRAM需要持續供電以維持數據,這限制了其在移動
關鍵字:
應用端 內存
韓國三星電子表示,因人工智能AI需求暢旺,內存芯片的售價因此也水漲船高,上季營業利益可望飆升約15倍,比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估,集團整體第2季營利為10.4兆韓元,約75億美元,年增1,452.2%。同時,營收也大增23.3%,達74兆韓元。不過,三星這次并沒有揭露凈利數字。 4到6月這1季,是三星自2022年第3季曾創下營業利益高達10.8兆韓元以后,全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外,三星第2季的營利,也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
關鍵字:
三星 內存
什么是 GDDR7 內存?它是用于 GPU 的下一代圖形內存,例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產品,為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級,從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存(用于“圖形雙倍數據速率”)推出以來,這種模式就非常清晰。GDDR(前身為 DDR SGRAM)早在 1998 年就問世了,每隔幾年就會有新的迭代到來,擁有更高的速度和帶寬。當前一代
關鍵字:
GDDR7 內存 圖形VRAM 美光 三星
IT之家 6 月 28 日消息,美光在業績演示文稿中表示,其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運:譯文:愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應,而紐約(州)的建設資本支出預計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應的增長。原文:This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
關鍵字:
美光 內存 晶圓廠
據韓媒報導,隨著AI應用熱度不減,三星電子日前告知戴爾、慧與(HPE)等主要客戶,將在第三季提高服務器用的DRAM和企業級NAND閃存的價格15~20%。 臺系內存模塊大廠聞訊分析,三星此舉主要趁著第三季電子產業旺季來臨前率先喊漲,以期拉抬目前略顯疲軟的現貨價行情,但合約價實際成交價格,仍需視市場供需而定。以位產出市占率來看,2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重,分別是46.8%及32.4%,皆居全球之冠。根據外電報導指出,三星電子第二季已將供應給企業的NAND閃存價格,調
關鍵字:
三星 內存
HBM 商機稍縱即逝,需要抓緊時間。
關鍵字:
內存
IT之家 6 月 18 日消息,據韓媒《韓國經濟日報》報道,三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出,在今年發布后,三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT(IT之家注:即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫)-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術,旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道
關鍵字:
HBM 內存 三星
就人工智能(AI)裝置的硬件來看,關鍵的零組件共有四大塊,分別是邏輯運算、內存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角,更是使用者體驗能否優化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨,中國臺灣業者也已做好準備,準備在這些領域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設計有商機對整個AI運算來說,最關鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術供貨商,但在AI ASIC芯片設計服務與IP供應方面,則是擁有不少的業者,而且其中不乏領頭羊的先進業者。在AI ASIC芯片設計方面,
關鍵字:
IC設計 PCB 散熱 處理器 內存 AI
6月5日,美光科技宣布出樣業界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β(1-beta)DRAM技術和創新架構,速率高達32Gb/s。性能上,GDDR7的系統帶寬超過1.5TB/s,較GDDR6提升高達60%,并配備四個獨立通道以優化工作負載,從而實現更快的響應時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比,美光GDDR7的能效提升超過50%,實現了更優的散熱和續航;全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領先的可靠性、可用性及適用性(RAS),在不影響性
關鍵字:
美光 GDDR7 內存
據JEDEC(固態技術協會)消息,DDR6(包括LPDDR6)已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內存標準。DDR6內存最低頻率8800MHz,可提高至17.6GHz,理論最高可以推進至21GHz,遠超DDR4和DDR5內存。CAMM2是一種全新內存標準,同樣支持DDR6標準內存,也就是適用于臺式PC等大型PC設備。JEDEC預計,將在今年內完成DDR6內存標準的初步草稿,1.0正式版最快也要到明年二季度,具體產品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看,該內存產
關鍵字:
DDR6 內存 存儲
內存介紹
【內存簡介】
在計算機的組成結構中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存,港臺稱之為記憶體)。
內存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統、打字軟件、游戲軟件等, [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473