長江存儲主導混合鍵合專利，韓存儲巨頭三星和SK海力士壓力山大

隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。

據報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術。此舉反映了三星希望規避長江存儲的專利的挑戰，這些專利被認為難以避免。

報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規模生產基于混合鍵合的NAND已有大約四年的時間。該公司采用晶圓到晶圓 （W2W） 方法，在單獨的晶圓上制造存儲單元和外圍電路，并將它們粘合到單個芯片中。根據ZDNet從法國專利分析公司 KnowMade 獲得的數據，長江存儲從2017年開始累計披露了119項混合鍵合相關專利。相比之下，三星電子盡管在2015年早些時候開始申請，但到2023年底只有83項專利。SK海力士于2020 年開始提交申請，僅披露了11例。目前大部分混合鍵合專利由 Xperi、長江村和臺積電持有。

像TC鍵合這樣的傳統方法面臨著在16-high以上工藝HBM產品的良率挑戰。相比之下，混合鍵合可實現更薄的堆棧、更多的層數、更少的信號損失和更好的良率。這些優勢對于目前HBM的領導者 SK 海力士來說尤為重要。Sedaily 表示，三星的目標是在今年年底前生產 12 層HBM4，并正在積極研究混合鍵合。據說該公司還與其設備子公司SEMES合作，以支持該技術的發展。

據 TrendForce 集邦咨詢稱，DRAM行業對HBM產品的關注正越來越多地將注意力轉向混合鍵合等先進封裝技術。主要的 HBM 制造商正在考慮是否為 HBM4 16hi 堆棧產品采用混合鍵合，但已確認計劃在HBM5 20hi堆棧中實施該技術。