600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
Diodes霍爾開關(guān)有效優(yōu)化敏感度
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開關(guān)，其磁場檢測的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計的接近效應(yīng)與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
- 關(guān)鍵字： Diodes 功率器件 霍爾效應(yīng)
國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
- “十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
- 關(guān)鍵字： 新能源 功率器件 IGBT
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標，富
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