新聞中心

        EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 關于開關電源技術技術關注點的十大闡述

        關于開關電源技術技術關注點的十大闡述

        作者: 時間:2013-09-22 來源:網絡 收藏


          一直是電子行業里非常熱門的技術,而它的發展趨勢又是大家必須時刻關注的問題,不然一不留神就會跟不上技術發展的步伐。電子元件技術做了項技術發展關注焦點調查,得出來以下十個熱門關注點。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/228258.htm

          關注點一:功率半導體器件性能

          1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采用“超級結”(Super-Junction)結構,故又稱超結功率 MOSFET。工作電壓600V~800V,通態電阻幾乎降低了一個數量級,仍保持開關速度快的特點,是一種有發展前途的高頻功率半導體電子器件。

          IGBT剛出現時,電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內,耐壓水平限于1200V~1700V,經過長時間的探索研究和改進,現 在 IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A,高壓IGBT單片耐壓已達到6500V,一般IGBT的工作頻率上限為20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型結構應用新技術制造的IGBT,可工作于150kHz(硬開關)和300kHz(軟開關)。

          IGBT的技術進展實際上是通態壓降,快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同,IGBT在20年歷史發展進程中,有以下幾種類型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、軟穿通(SPT)型、溝漕型和電場截止(FS)型。

          碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料,其優點是:禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩定性好、通態電阻小、導熱性能好、漏電流極小、 PN結耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。

          可以預見,碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。

          關注點二:開關 功率密度

          提高的功率密度,使之小型化、輕量化,是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備(如移動電話,數字相機等)尤為重要。使開關電源小型化的具體辦法有:

          一是高頻化。為了實現電源高功率密度,必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。

          二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的 “電壓-振動”變換和“振動- 電壓”變換的性質傳送能量,其等效電路如同一個串并聯諧振電路,是功率變換領域的研究熱點之一。

          三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量,必須設法改進電容器的性能,提高能量密度,并研究開發適合于電力電子及電源系統用的新型電容器,要求電容量大、等效串聯電阻ESR小、體積小等。

          關注點三:高頻磁與同步整流技術

          電源系統中應用大量磁元件,高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件,有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求:損耗小,散熱性能好,磁性能優越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關注,納米結晶軟磁材料也已開發應用。

          高頻化以后,為了提高開關電源的效率,必須開發和應用軟開關技術。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。

          對于低電壓、大電流輸出的軟開關變換器,進一步提高其效率的措施是設法降低開關的通態損耗。例如同步整流SR技術,即以功率MOS管反接作為整流用開關二極管,代替蕭特基二極管(SBD),可降低管壓降,從而提高電路效率。

          關注點四:分布電源結構

          分布電源系統適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數字電子交換系統等的電源,其優點是:可實現DC/DC變換器組件模 塊化;容易實現N+1功率冗余,易于擴增負載容量;可降低48V母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱 設計;瞬態響應好;可在線更換失效模塊等。

          現在分布電源系統有兩種結構類型,一是兩級結構,另一種是三級結構。

          關注點五:PFC變換器

          由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容,在正弦電壓輸入時,單相整流電源供電的電子設備,電網側(交流輸入端)功率因數僅為 0.6~0.65。采用PFC(功率因數校正)變換器,網側功率因數可提高到0.95~0.99,輸入電流THD小于10%。既治理了電網的諧波污染,又 提高了電源的整體效率。這一技術稱為有源功率因數校正APFC單相APFC國內外開發較早,技術已較成熟;三相APFC的拓撲類型和控制策略雖然已經有很多種,但還有待繼續研究發展。

          一般高功率因數AC/DC開關電源,由兩級拓撲組成,對于小功率AC/DC開關電源來說,采用兩級拓撲結構總體效率低、成本高。

          如果對輸入端功率因數要求不特別高時,將PFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個拓撲,構成單級高功率因數AC/DC開關電源,只用一個主開關管,可使功率因數校正到0.8以上,并使輸出直流電壓可調,這種拓撲結構稱為單管單級即S4PFC變換器。

          關注點六:電壓調節器模塊VRM

          電壓調節器模塊是一類低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊,向微處理器提供電源。

          現在數據處理系統的速度和效率日益提高,為降低微處理器IC的電場強度和功耗,必須降低邏輯電壓,新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V,而電流則高達50A~100A,所以對VRM的要求是:輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應等。

          關注點七:全數字化控制

          電源的控制已經由模擬控制,模數混合控制,進入到全數字控制階段。全數字控制是一個新的發展趨


        上一頁 1 2 下一頁

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 涟源市| 陵川县| 泰来县| 济南市| 靖边县| 博爱县| 驻马店市| 汤阴县| 乾安县| 治多县| 乳山市| 迁安市| 沭阳县| 泰安市| 宜都市| 和硕县| 朔州市| 太和县| 邓州市| 江都市| 仁寿县| 平果县| 老河口市| 宜春市| 石城县| 琼结县| 彰武县| 扬州市| 友谊县| 华阴市| 揭阳市| 鹤岗市| 石景山区| 斗六市| 永宁县| 磐安县| 繁峙县| 郯城县| 长顺县| 门头沟区| 永丰县|