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        600v氮化鎵(gan)功率器件 文章 最新資訊

        采用綠色休眠在線UPS技術(shù)提升數(shù)據(jù)中心的PUE指標(biāo)

        • 一引言綠色節(jié)能已經(jīng)成為當(dāng)今數(shù)據(jù)中心建設(shè)的潮流,而能源使用效能值(PUE)則是衡量數(shù)據(jù)中心競(jìng)爭(zhēng)力的一個(gè)重...
        • 關(guān)鍵字: 在線UPS  基礎(chǔ)設(shè)施  功率器件  

        功率器件在混合動(dòng)力汽車中的應(yīng)用

        • 混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來(lái)的好...
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  混合動(dòng)力  汽車電子  

        新型同步補(bǔ)償器直流側(cè)儲(chǔ)能電容值的選取方法

        利用氬氣改善p型GaN LED的性能

        • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
        • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

        采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

        • 在當(dāng)今社會(huì),DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō):英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
        • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

        大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

        • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
        • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

        混合動(dòng)力汽車對(duì)電源芯片與功率器件的挑戰(zhàn)

        • 在汽車行業(yè)的發(fā)展方向上,電動(dòng)汽車(EV)和油電混合動(dòng)力汽車(HEV)正成為一個(gè)明顯的趨勢(shì)。從技術(shù)角度來(lái)說(shuō),目前更...
        • 關(guān)鍵字: 混合動(dòng)力  電源芯片  功率器件  

        武漢力源與英飛凌科技公司簽署代理協(xié)議

        •   近日武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢力源或 P&S)正式與歐洲第二大芯片制造商英飛凌科技(以下簡(jiǎn)稱 英飛凌)公司簽署了分銷合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,武漢力源將在中國(guó)區(qū)代理銷售英飛凌產(chǎn)品,如:功率器件,電源器件,汽車電子半導(dǎo)體等。P&S 將通過(guò)優(yōu)質(zhì)的服務(wù)為國(guó)內(nèi)客戶帶來(lái)更加非凡的感受。  
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  功率器件  

        功率器件更加智能,高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展

        • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時(shí)間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越...
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  工藝材料  MOSFET  

        硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

        • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái),LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
        • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

        硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

        • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器,紫外光探測(cè)器,...
        • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

        一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

        • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
        • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

        GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

        • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  探測(cè)器  紅外  量子  GaN  

        飛兆半導(dǎo)體electronica China 2011展示高能效電子應(yīng)用解決方案

        •   全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國(guó)際博覽中心舉行的electronica China 2011展會(huì)上,展示超過(guò)20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案,展臺(tái)編號(hào)為1310。   
        • 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體  功率器件  

        力源產(chǎn)品目錄--功率器件

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        600v氮化鎵(gan)功率器件介紹

        您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵(gan)功率器件!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)600v氮化鎵(gan)功率器件的理解,并與今后在此搜索600v氮化鎵(gan)功率器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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