- Microsemi公司宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應用功率電子學會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產品，并在2個技術交流會上進行演講。
Microsem所展示的主要產品(展臺 #122)：
· 應用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。
· 以太網驅動(PoE)芯片集和模塊，其中包括Microsem公司第四代的IEE
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Microsemi 功率器件
- 繼歐姆龍電子部件貿易(上海)有限公司成功出展“2009慕尼黑上海電子展”之后，又將于2010年3月16～18日在上海新國際博覽中心參加“2010慕尼黑上海電子展”。
慕尼黑上海電子展立足于電子元器件， 快速增長的中國及亞太市場，經過8年多的培育，已經發展成為行業內具有重要影響的綜合性專業電子展覽會。其針對重點領域，包括功率器件、被動元件、連接器、汽車電子等設立了專區，使得綜合性與專業性得到完美結合。
屆時，我們將問您展示歐姆龍電子部件事業部包
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歐姆龍 功率器件 被動元件 連接器 汽車電子
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC，并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進的硅集成功率級器件
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IR 功率器件 氮化鎵 DC-DC
- 功率半導體包括功率二極管、功率開關器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導體)技術的迅速發展，功率半導體的應用范圍已從傳統的工業控制領域擴展到4C領域(計算機、通信、消費類電子產品和汽車電子)，滲透到國民經濟與國防建設的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導體市場，擁有迅速發展的半導體代工線及國際上最大規模的人才培養體系，但中國功率半導體產業的發展必須改變目前封裝強于芯片、芯片強于設計的局面。功率半導體行業應加強技術力量的引進和消化吸收，大力發展設計技術，以市場帶動設計，以設計促進芯
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功率器件 開關 功率二極管
- 市場需求逐步恢復
● 能效需求催生功率器件應用熱潮
● 擴內需政策為企業提供增長空間
陳坤和
從2008年底到2009年初，所有電子產品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業的催化劑。由于各國政府的經濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內容，許多企業開始關注功率產品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產品
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功率器件 MOSFET
- 如何辨別元器件以舊翻新及偽造名牌?9月19日，華強電子網邀請兩位行業專家向近300家元器件賣家講解。
據元器件賣家反應，功率器件作為電子元器件行業不可或缺的角色，在行業中的地位舉足輕重。由于對功率器件基礎知識以及封裝失效常識的缺失，很多業內人士不能正確識別功率器件不良品出現的原因和特征，比如功率器焊點斷開、焊線斷開、芯片開裂、磨損失效、錫須失效、參數失效等嚴重問題，給商務貿易造成很大的不便。
基于此，在9月19日的華強商務講堂中，深圳市中意法科技有限公司總經理朱軍山先生針對性地就&ldqu
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元器件 功率器件
- 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
- 目前的電子產品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝，這主要是可方便地 ...
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功率器件 散熱器 功耗
- Strategy Analytics的汽車電子部門稱，半導體市場供應混合動力系統將從今年的3.84億美元增長到2015年的13億美元，其中主要是功率器件以及模擬微控制器和傳感器。
市場研究人員認為，完全和半混合動力系統在2007年到2012年的年增長率達到38%，其中更符合成本效益的輕度混合解決方案的增長率會更高，約達79%。盡管目前的市場領軍人豐田會在開始時遙遙領先，但本田和歐洲設備制造商們的后勁更足。
不過，該機構的汽車電子分析師Kevin Mak認為，對于消費者而言，更高的成
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半導體 汽車電子 功率器件
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業知識方面
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IR 功率器件 GaN 終端
- 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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GAN 蜂窩 話音質量
- 受到市場需求減緩以及庫存調整等問題的影響，2007年，中國功率器件市場增長率較2006年出現較大幅度的下降，市場銷售額為762.3億元，比2006年增長了13.3%。
在中國功率器件市場中，電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占到整體市場的80%
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功率器件 消費電子 電源管理IC MOSFET
- Cree發布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。
新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：
1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商業可用硅LDMOS，提高了工作頻率
3. 在免授權的5.8G
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三極管 WiMAX Cree GaN
- 研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。???????
“對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
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硅晶圓 GaN 200mm MEMC
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
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