- 日前，電子發燒友網攜手飛兆半導體等業界五大知名廠商，成功舉辦“2013電源管理技術研討會”，200多位技術研發工 ...
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綠色電源 高性能 功率器件
- 發光二極體(LED)的發光效率遠高于傳統光源，耗電量僅約同亮度傳統光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
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GaN on GaN LED
- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 中國科學院近日發布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發光的二極管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
- 驅動IGBT電壓型功率器件有多種具有保護及隔離功能的集成驅動模塊。這些模塊具有多種保護功能、隔離驅動...
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功率器件 IR2110 IGBT
- 盡管內燃機驅動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流馬達獲取車載系統的電氣需求，但由...
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功率器件 混合動力車
- 開關電源一直是電子行業里非常熱門的技術，而它的發展趨勢又是大家必須時刻關注的問題，不然一不留神就會跟...
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功率器件 開關電源 電源
- 傳統的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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GaN LED 光萃取技術
- IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和...
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隔離驅動 功率器件
- 大型電力電子設備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設計直接關系到設備的可...
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大功率 高壓變頻器 功率器件
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。
GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
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GaN 功率器件
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
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