- 近日武漢力源信息技術股份有限公司(以下簡稱武漢力源或 P&S)正式與歐洲第二大芯片制造商英飛凌科技(以下簡稱 英飛凌)公司簽署了分銷合作協議。根據協議，武漢力源將在中國區代理銷售英飛凌產品，如：功率器件，電源器件，汽車電子半導體等。P&S 將通過優質的服務為國內客戶帶來更加非凡的感受。
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英飛凌 功率器件
- 工藝與材料的創新隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
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功率器件 工藝材料 MOSFET
- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要：為了實現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應，通過設計適當的量子阱結構，利用自發極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
- 全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國際博覽中心舉行的electronica China 2011展會上，展示超過20款用于高能效電子應用的創新解決方案，展臺編號為1310。
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飛兆半導體 功率器件
- Dow Corning正式簽署協議，加入imec的關于GaN半導體材料和器件技術的多方研發項目。該項目關注于下一代GaN功率器件和LED的發展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術帶入制造階段。
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Dow Corning 半導體材料 功率器件
- 無錫基地目前已經聚集了超過100家的集成電路設計企業，企業產品從原來傳統的工藝向更小線寬、更高復雜度發展。
隨著世界經濟的逐步復蘇，在國家“促發展、保增長”和拉動內需等各項措施激勵下，無錫集成電路產業呈現快速回升的勢頭，企業數量、產業規模得到了發展，產品的技術水平得到了升級。
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模擬IC 功率器件
- 據連接器市場分析公司Bishopand Associates發布報告稱，盡管2009年最后兩個季度連接器銷量連續增長，但是由于整體市場景氣衰退，全球連接器市場在2009年還是下降了大約25%。其中，來自醫療和軍事/航天OEM的連接器需求下降了5–7%。此外，連接器的價格也出現了疲軟，下降了5%。需求量低和生產能力過剩是連接器價格下降的主要因素。
不過，由于目前各連接器廠商正在積極調整庫存，并且，隨著消費電子、汽車電子和通信終端市場的快速增長，未來三年，全球連接器市場的發展潛力依然很大
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連接器 功率器件 USB
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
- 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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