未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩增

　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。

　　據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。

　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。GaN是一種擁有類似于SiC性能優勢的寬帶隙材料，但擁有更大的成本控制潛力。

　　據分析師預測，氮化鎵上硅設備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實現平價和同等性能，至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關。

　　SiC肖特基二極管在2012年的銷售額超過1億美元，是目前最暢銷的SiC或GaN設備。至2022年這一數字將增加近一倍。

　　到那時，SiCMOSFET銷售額預計將達到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設備類型。雖然可靠性、價格及性能相近，SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預計僅達到SiCMOSFET的一半。

　　雖然IHS預測SiC和GaN市場未來幾年增長強勁，但與一年前相比，這一預測已是大打折扣了。這一變化的主要原因在于，全球經濟的低迷現狀使市調機構調低了對功率組件設備的出貨量預測。SiC采用率預測也被大幅調低，因為設備價格并未如此前預測那樣快速下跌。

　　相比之下，業界對GaN技術的信心有所提高，越來越多公司已宣布進行GaN研發。例如Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設備JEDEC資格的公司。