- 揚州電子信息產業近年來快速發展，從電線電纜獨大，到新能源和新光源產業崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強，電子信息制造業結構趨于合理。未來將通過規劃引導、項目推動、創新突破等3大舉措，促進電子制造業加快發展。
布局3大產業
揚州電子制造業形成電線電纜、新光源、新能源3大產業齊頭并進新格局，結構得到優化。
目前，揚州光伏新能源產業已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產業鏈生產能力，多晶硅太陽能電池年產
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電子制造 功率器件
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
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隔離驅動 PowerMOSFET 功率器件
- 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
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IGBT 功率器件 方法
- 第三步：確定熱要求 選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
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功率器件
- 所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
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功率器件
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應開關，其磁場檢測的敏感度適合于多種產品設計的接近效應與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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Diodes 功率器件 霍爾效應
- “十二五”規劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業的發展非常重視，同時，“節能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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新能源 功率器件 IGBT
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現低成本生產。按照此目標，富
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富士通 功率器件 硅基板
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
- 在穩壓電源中主元器件采用功率半導體器件，如功率晶體管（GTR）、功率場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（I...
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電源 功率器件 散熱
- 逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（GTR），功率場效應管（MOSFET），絕...
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逆變器 功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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