- SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
- 微型隔離器的應用可進一步縮小電動及混合動力汽車功率逆變器的體積
瑞薩電子公司開發的配有內置式微型隔離器的 IGBT 驅動器智能器件
日本東京訊-全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今天宣布開發出了隔離型IGBT驅動器的R2A25110KSP智能型功率器件， 適用于電動和混合動力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發的微型隔離器隔離專項技術。這些技術可為汽車應用系統建立更可靠、更緊湊的系統。
用于驅動電動和混合動力汽車中的電機
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瑞薩 功率器件
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導線傳導，在工程領域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅動單元作為大功率...
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電磁兼容 電磁干擾 逆變 功率器件
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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MOSFET 功率器件
- 因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產能擴增至現行的2-3倍。
目前，三菱化學利用水島事業所和筑波事業所生產的GaN基板，生產的產品直徑為2寸，月產能分別為1,000片、數百片。
而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調整水島事業所現有設備的制程，開始生產直徑為4寸的GaN基板，月產能為200-300片，并計劃憑借新設生產設備或增設廠房等措施，開始生產6寸GaN基板，將GaN基板產能擴增至現行的2-3倍
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LED GaN
- 在可以預見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
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IR 功率器件 節能設計
- 揚州電子信息產業近年來快速發展，從電線電纜獨大，到新能源和新光源產業崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強，電子信息制造業結構趨于合理。未來將通過規劃引導、項目推動、創新突破等3大舉措，促進電子制造業加快發展。
布局3大產業
揚州電子制造業形成電線電纜、新光源、新能源3大產業齊頭并進新格局，結構得到優化。
目前，揚州光伏新能源產業已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產業鏈生產能力，多晶硅太陽能電池年產
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電子制造 功率器件
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
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隔離驅動 PowerMOSFET 功率器件
- 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
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IGBT 功率器件 方法
- 第三步：確定熱要求 選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
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功率器件
- 所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
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功率器件
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
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