600v氮化鎵（gan）功率器件文章最新資訊

Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項(xiàng)目

　　Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關(guān)于GaN半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項(xiàng)目。該項(xiàng)目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。
關(guān)鍵字： Dow Corning 半導(dǎo)體材料功率器件

無錫集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)新一輪大發(fā)展

　　無錫基地目前已經(jīng)聚集了超過100家的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，企業(yè)產(chǎn)品從原來傳統(tǒng)的工藝向更小線寬、更高復(fù)雜度發(fā)展。　　隨著世界經(jīng)濟(jì)的逐步復(fù)蘇，在國家“促發(fā)展、保增長”和拉動內(nèi)需等各項(xiàng)措施激勵下，無錫集成電路產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)快速回升的勢頭，企業(yè)數(shù)量、產(chǎn)業(yè)規(guī)模得到了發(fā)展，產(chǎn)品的技術(shù)水平得到了升級。　　
關(guān)鍵字：模擬IC 功率器件

COOLMOS器件在開關(guān)電源中的應(yīng)用研究

關(guān)鍵字： COOLMOS PWM 開關(guān)電源功率器件

2010中國連接器和功率器件市場供求趨勢調(diào)查

　　據(jù)連接器市場分析公司Bishopand Associates發(fā)布報(bào)告稱，盡管2009年最后兩個季度連接器銷量連續(xù)增長，但是由于整體市場景氣衰退，全球連接器市場在2009年還是下降了大約25%。其中，來自醫(yī)療和軍事/航天OEM的連接器需求下降了5–7%。此外，連接器的價(jià)格也出現(xiàn)了疲軟，下降了5%。需求量低和生產(chǎn)能力過剩是連接器價(jià)格下降的主要因素。　　不過，由于目前各連接器廠商正在積極調(diào)整庫存，并且，隨著消費(fèi)電子、汽車電子和通信終端市場的快速增長，未來三年，全球連接器市場的發(fā)展?jié)摿σ廊缓艽?/li>
關(guān)鍵字：連接器功率器件 USB

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
關(guān)鍵字： GaN LED 襯底功率型

GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品

　　Microsemi公司宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應(yīng)用功率電子學(xué)會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產(chǎn)品，并在2個技術(shù)交流會上進(jìn)行演講。　　Microsem所展示的主要產(chǎn)品(展臺 #122)：　　· 應(yīng)用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。　　· 以太網(wǎng)驅(qū)動(PoE)芯片集和模塊，其中包括Microsem公司第四代的IEE
關(guān)鍵字： Microsemi 功率器件

歐姆龍電子將出展2010慕尼黑上海電子展

　　繼歐姆龍電子部件貿(mào)易(上海)有限公司成功出展“2009慕尼黑上海電子展”之后，又將于2010年3月16～18日在上海新國際博覽中心參加“2010慕尼黑上海電子展”。　　慕尼黑上海電子展立足于電子元器件，快速增長的中國及亞太市場，經(jīng)過8年多的培育，已經(jīng)發(fā)展成為行業(yè)內(nèi)具有重要影響的綜合性專業(yè)電子展覽會。其針對重點(diǎn)領(lǐng)域，包括功率器件、被動元件、連接器、汽車電子等設(shè)立了專區(qū)，使得綜合性與專業(yè)性得到完美結(jié)合。　　屆時(shí)，我們將問您展示歐姆龍電子部件事業(yè)部包
關(guān)鍵字：歐姆龍功率器件被動元件連接器汽車電子

IR率先推出氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。　　iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動器IC，并匹配一個多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進(jìn)的硅集成功率級器件
關(guān)鍵字： IR 功率器件氮化鎵 DC-DC

功率半導(dǎo)體：強(qiáng)化設(shè)計(jì)能力尋求中高端突破

　　功率半導(dǎo)體包括功率二極管、功率開關(guān)器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的迅速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展到4C領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子)，滲透到國民經(jīng)濟(jì)與國防建設(shè)的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場，擁有迅速發(fā)展的半導(dǎo)體代工線及國際上最大規(guī)模的人才培養(yǎng)體系，但中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前封裝強(qiáng)于芯片、芯片強(qiáng)于設(shè)計(jì)的局面。功率半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)力量的引進(jìn)和消化吸收，大力發(fā)展設(shè)計(jì)技術(shù)，以市場帶動設(shè)計(jì)，以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯
關(guān)鍵字：功率器件開關(guān) 功率二極管

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

　　市場需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮　　● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費(fèi)電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
關(guān)鍵字：功率器件 MOSFET

如何辨別元器件以舊翻新及偽造名牌?

　　如何辨別元器件以舊翻新及偽造名牌?9月19日，華強(qiáng)電子網(wǎng)邀請兩位行業(yè)專家向近300家元器件賣家講解。　　據(jù)元器件賣家反應(yīng)，功率器件作為電子元器件行業(yè)不可或缺的角色，在行業(yè)中的地位舉足輕重。由于對功率器件基礎(chǔ)知識以及封裝失效常識的缺失，很多業(yè)內(nèi)人士不能正確識別功率器件不良品出現(xiàn)的原因和特征，比如功率器焊點(diǎn)斷開、焊線斷開、芯片開裂、磨損失效、錫須失效、參數(shù)失效等嚴(yán)重問題，給商務(wù)貿(mào)易造成很大的不便。　　基于此，在9月19日的華強(qiáng)商務(wù)講堂中，深圳市中意法科技有限公司總經(jīng)理朱軍山先生針對性地就&ldqu
關(guān)鍵字：元器件功率器件

晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

關(guān)鍵字：靜止變頻技術(shù) 功率器件晶閘管 IGBT

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底