DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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GaN SiC
摘要：工程師在設計一款產品時用了一顆9A的MOS管，量產后發現壞品率偏高，經重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢?
工程師在設計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念：
其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點溫度，目前大多數芯片的結點溫度為150℃，Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻，Rcs
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開關器件 功率器件
硅基GaN潛力大
近日，MACOM在京召開新聞發布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”
圖1 GaN的巨大潛力
如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
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GaAs GaN
簡介
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。
使用壽命預測指標
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使
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GaN
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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GaN SiC
MOSFET或IGBT保護方法有很多，有專門帶保護的驅動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護電路。專門帶保護的驅動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。
下面介紹一種無采樣電阻的方法：
上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當過載時Q1壓降增大，從
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采樣電阻 功率器件
摘要：在電源系統設計中，當一個電源模塊的功率無法滿足系統的設計要求時，我們往往會考慮多個模塊的并聯使用。如果并聯設計不合理，就會導致并聯模塊輸出均流失效，會有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統的風險。今天跟大家簡單分享一些造成電源模塊并聯失效的真正原因。
目前電源系統的發展趨勢采用新型的功率器件實現小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯進行擴容。電源并聯運行是電源產品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術發展的趨勢之一，是實現組合大功率電源系統的重點。
1.不
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電源模塊 功率器件
根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體業者受惠;另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業。Yole預期EV/HEV產業將持續大力推動Si
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SiC GaN
目前，電動汽車和工業馬達的可變速馬達驅動系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統測量、優化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。
今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：工業傳動、光伏發電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
工業及光伏發電市場
針對工業光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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三菱電機 功率器件
英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
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英飛凌 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 松下 GaN
近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
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