開關電源技術發(fā)展歷程的十個關注點- 上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。
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開關電源 功率器件 電磁兼容性
全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時還沒有什么解決辦法。
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功率器件
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創(chuàng)新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
未來五年，通信產業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機最新的技術、產品和優(yōu)勢。 三菱電機以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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三菱電機 功率器件
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據(jù)Technavio統(tǒng)計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
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MOCVD GaN
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產品陣容，該產品適用于空調、空氣凈化器的風扇電機和泵等各類產品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產出貨即日啟動。 該新IPD利用東芝最新MOSFET技術——600V超結MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅動冰箱的壓縮機電機，這是現(xiàn)有IPD無法做到的，因此新IPD的應用范
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東芝 功率器件
IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。 ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
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IGBT 功率器件
隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
功率集成電路器件的產地正發(fā)生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。
在市場機遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費產品及電動車的涌現(xiàn)，功率器件需求預計將更加強勁。如下方圖片所示，中國的智能手機需求增長與功率集成電路消費趨勢相符。未來，中國有望成為半導體器件包括功率器件主要的設計與制造來源。
目前，中國的功率器件制造產業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復雜精細的功率器
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功率器件 集成電路
MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術手段，為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構筑更加美好的世界。
在基礎設施的建設領域中，MACOM的技術提高了移動互聯(lián)網的速度和覆蓋率，讓光纖網絡得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。
日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產品，根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
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MACOM GaN
本文介紹了中國功率器件制造業(yè)未來發(fā)展所擁有的環(huán)境優(yōu)勢以及政策優(yōu)勢，分析了中國功率器件未來發(fā)展的廣闊前景。
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功率器件 產能 政策 201705
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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