- 2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業人士一起把握潮流! 需求往往是推動創新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現象。抓住了用戶需求，潛在的創新動力才會被激發，也只有適應需求的創新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業觀眾以及眾多的國內外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
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SiC GaN
- 引言 太陽能不再是一項新興技術，而是正在經歷重大技術變革的技術，日趨成熟。我們朝著電網平價(太陽能成本與傳統能源發電類型的成本相當)，并且改進傳統能源發電類型構成的目標前進，因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過程變得更加高效且經濟實惠。 但是，雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低，但下一波太陽能發展浪潮將由功率轉換器系統的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料，加上更高的工作電壓(最高1600 VDC)，實現更加快速的功率開關，與傳統系
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光伏逆變器 GaN
- 日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產業技術綜合研究所的聯合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發光二極管的開發積累了GaN元件技術，GaN芯片生產量占據世界最高份額。若做到現有技術的實用化，將處于世界優勢地位。
功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節能，產業需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經量產，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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GaN MOSFET
- 通信、汽車驅動市場增長，國有品牌競爭力提升
市場規模繼續擴大，增速較2015年有所回升
2016年，中國電子信息制造業生產總體平穩，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規模持續擴大，市場規模預計達到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。
通信、汽車成為2016年市場增長亮點
從下游應用產品的需求來看，通信和汽車領域是推動功率器件市場增長的主要驅動力。
從通信主要產品產量來看，1-10月，我國生產手機17億部，同比增長19.9%，其中智能手機12
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功率器件 GaN
- 在我國綠色能源產業發展的推動下，功率半導體已經成為建設節約型社會、促進國民經濟發展、踐行創新驅動發展戰略的重要支撐。
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功率半導體 GaN
- 如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產業轉型升級的整體方向與發展規劃，在此過程中，功率半導體發揮的作用不可替代。
然而，與集成電路產業相似，我國功率半導體產業的發展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節能減排”、“開發綠色
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功率半導體 GaN
- 充電和電池管理對智能手機來說，仍是關鍵的功能，未來多年將持續有創新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統要求供電產品(如壁式適配器)或無線充電發射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用，提供完整、優化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產品的功率要求。 市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統半導體器件不可行的地步。新一代系統將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統M
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安森美 GaN
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 風能、太陽能等新能源均需經過電力電子變換才能接入電網，隨著新能源發電量的逐年攀升，市場對電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進。作為傳統電力電子變換的開關器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認為是新一代的功率器件。 對于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開關器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結構，以此為基礎可擴展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換
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功率器件 Boost
- 1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在無線基站中的應用 用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統性能和運營成本產生深遠的影響。氮化鎵顯而易見的技術優勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 有鑒于全球環保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發優勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。
可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。
臺達電技術長暨總
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SiC GaN
- 據報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
據了解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。
天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
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氮化鎵 功率器件
- 松下被動元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產品市場經理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。 ZK和ZC產品在125C下可工作4000小時。三種類型產品都有更低的ESR(等效串聯電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。 松下集團汽車&工業系統公司介紹了其網上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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