600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？

　　《麻省理工科技評(píng)論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone 　　入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播　　重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對(duì)許多人變得觸手可及，從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”

　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。　　“不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商，團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開(kāi)始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

　　EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線充電及自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)應(yīng)用。　　EPC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電，可傳送高達(dá)300 W功率。可傳送這么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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嵌入式設(shè)計(jì)入門(mén)：三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)

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MSP430程序升級(jí)方案

MSP430程序升級(jí)方案-　　對(duì)MSP430系列單片機(jī)進(jìn)行編程的方式有以下3種：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用戶自定義的升級(jí)固件。由于利用自定義升級(jí)固件進(jìn)行程序升級(jí)的方式比較靈活，且用途廣泛，因此本文將對(duì)其作重點(diǎn)介紹。
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變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法-　　變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開(kāi)關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見(jiàn)到的故障，解決這種問(wèn)題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會(huì)再損壞。
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常用的功率半導(dǎo)體器件盤(pán)點(diǎn)匯總

常用的功率半導(dǎo)體器件盤(pán)點(diǎn)匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。
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開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)-　上世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
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功率器件交貨期持續(xù)拉長(zhǎng)，供應(yīng)短缺局面何時(shí)結(jié)束？

全球性需求增加也帶動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)，但是功率分立器件交貨期開(kāi)始延長(zhǎng)暫時(shí)還沒(méi)有什么解決辦法。
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

展望未來(lái)，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
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三菱電機(jī)強(qiáng)勢(shì)出擊PCIM亞洲2017展

　　三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會(huì)中隆重登場(chǎng)(三菱電機(jī)展位號(hào):E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來(lái)參觀了解三菱電機(jī)最新的技術(shù)、產(chǎn)品和優(yōu)勢(shì)。　　三菱電機(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
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