東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產品陣容，該產品適用于空調、空氣凈化器的風扇電機和泵等各類產品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產出貨即日啟動?！ ≡撔翴PD利用東芝最新MOSFET技術——600V超結MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現5A額定電流。這一電流足以驅動冰箱的壓縮機電機，這是現有IPD無法做到的，因此新IPD的應用范
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東芝 功率器件
IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷?！ ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
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IGBT 功率器件
隨著無線通信的帶寬、用戶數目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
功率集成電路器件的產地正發生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區的功率器件制造業取得迅猛發展，而北美地區則逐漸走下坡路。
在市場機遇方面，隨著電池供電與互聯消費產品及電動車的涌現，功率器件需求預計將更加強勁。如下方圖片所示，中國的智能手機需求增長與功率集成電路消費趨勢相符。未來，中國有望成為半導體器件包括功率器件主要的設計與制造來源。
目前，中國的功率器件制造產業尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復雜精細的功率器
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功率器件 集成電路
MACOM是半導體行業的支柱型企業，在60多年的蓬勃發展歷程中，公司敢于采用大膽的技術手段，為客戶提供真正的競爭優勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構筑更加美好的世界。
在基礎設施的建設領域中，MACOM的技術提高了移動互聯網的速度和覆蓋率，讓光纖網絡得以向企業、家庭和數據中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。
日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產品，根據客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
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MACOM GaN
本文介紹了中國功率器件制造業未來發展所擁有的環境優勢以及政策優勢，分析了中國功率器件未來發展的廣闊前景。
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功率器件 產能 政策 201705
汽車功率電子產品正成為半導體行業的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015-2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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SiC GaN
相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎的解決方案實現更高的效率。
電源供應設計
德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術設計至電源解決方案中，進而超越傳統上功率密度限制。 基于數十年的電源測試專業經驗，TI針對GaN進行了數百萬小時的加速測試，并建立了能夠實現基于GaN電源設計的生態系統。
GaN將在功率密集的應用中大展身手，它能夠在保持或提
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德州儀器 GaN
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015 - 2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片?！ ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節點，使用200毫米(和
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SiC GaN
新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導體非常注重新技術的開發與新材料器件的應用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經量產并且廣泛應用于工業、太陽能逆變器等領域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發中，不久就會發布。
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安森美 光伏 功率器件 光伏逆變器
全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
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華虹半導體 功率器件
在智能化 、網絡化的當下時代，各種新型電子產品層出不窮，而在各電子產品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現、不斷發展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專題就功率器件、光伏和隔離器三個方面，邀請業內專業人士共同探討電源的發展和革新。
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電源 功率器件 光伏 隔離器 201704
日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購并美國半導體新創企業Arctic Sand Technologies，收購程序估計將在4月上旬完成，據日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，購并金額約70億日圓(約6,200萬美元)。
這次購并的目的，在于村田打算轉換事業重點，村田目前總營收約60%源自智慧型手機相關零組件，但智慧型手機的市場成長率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業成長，在短期內難以看到手機市場重回先前的高速成長狀態，村田必須培養其他重點事業。
在Son
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村田 功率器件
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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