1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
風能、太陽能等新能源均需經過電力電子變換才能接入電網，隨著新能源發電量的逐年攀升，市場對電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進。作為傳統電力電子變換的開關器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認為是新一代的功率器件。 對于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開關器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結構，以此為基礎可擴展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換
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功率器件 Boost
1 GaN 功率管的發展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
MACOM GaN在無線基站中的應用 用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線基站的系統性能和運營成本產生深遠的影響。氮化鎵顯而易見的技術優勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
有鑒于全球環保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發優勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。
可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。
臺達電技術長暨總
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SiC GaN
據報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
據了解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。
天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
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氮化鎵 功率器件
松下被動元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產品市場經理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。 ZK和ZC產品在125C下可工作4000小時。三種類型產品都有更低的ESR(等效串聯電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。 松下集團汽車&工業系統公司介紹了其網上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關鍵。
該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更
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Qorvo GaN
2010年，供應商發布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經過30年的發展之后，硅MOSFET發
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GaN 測試
摘要：分析新型SiC功率器件在實際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關特性的影響，以及開關頻率與傳輸效率的關系進行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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功率器件 升壓斬波電路 柵極電阻
中國第三代半導體產業南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導體產業南方基地項目啟動發布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產業決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產業南方基地項目啟動發布會并見證簽約儀式。
副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。
為廣東實現半導體產業化提
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半導體 GaN
本文為您詳細介紹直流電機驅動設計需要注意的事項，低壓驅動電路的簡易柵極驅動、邊沿延時驅動電路圖解及其設計思路。
以上是直流電機驅動電路圖，下面為您詳細介紹直流電機驅動設計需要注意的事項，低壓驅動電路的簡易柵極驅動、邊沿延時驅動電路圖解及其設計思路。
一、 直流電機驅動電路的設計目標
在直流電機驅動電路的設計中，主要考慮一下幾點：
1. 功能：電機是單向還是雙向轉動?需不需要調速?對于單向的電機驅動，只要用一個大功率三極管或場效應管或繼電器直接帶動電機
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PWM 功率器件
隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。
Dialog企業發展及策略資深副總裁Mark Tyndall
透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業發展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產業界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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Dialog GaN
德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發出實現5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...
下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開發出實現5G網路不可或缺的一種建構模組
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GaN 5G
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。
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