- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
- 氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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GaN PFC
- 基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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TI GaN
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。 GaN的優勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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安森美 GaN
- 萬國半導體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設計、開發與銷售為一體的功率半導體供應商，提供廣泛的功率半導體產品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產品系列。“以新能源技術的逐漸實用化為主軸，功率變換市場正經歷一場歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲能技術是關鍵的一環。”?AOS?MOSFET全球市場資深總監馮雷指出。 那2016年的功率器件市場發展具體呈現出哪些特點呢?馮雷表示
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AOS 功率器件
- 為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成。 圖1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結構。這些器件常見的其他特性包括狀態指示、數字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護。 &n
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MOSFET 功率器件
- 我國把節能環保產業列為七大新興戰略型產業之首，可見節能環保的重要性。而其實現離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。為此，“電子產品世界”推出此專題，選取電源的六大熱門領域，邀請部分領軍企業介紹了技術市場動向及新產品。
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功率器件 模擬芯片
- *貴公司所關注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關的技術及發展趨勢如何? Littelfuse目前致力于消費類電子產品的市場推進，利用我們在電路保護領域取得的優勢進一步的拓寬傳感器和電源控制的產品。這些都是我們的未來的產品的方向，智能化的穿戴設備智能家居都離不開傳感器的存在，例如我們的位置開關，門禁開關都是我們的傳感器的產品。電源控制產品是基于我們傳統的半導體的技術的進一步的創新，例如我們的開發的碳化硅的開關器件可以很好地降低開關的損耗，提高開關頻率更好的適應電力電子產品對器件的高性能的需求。
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力特 傳感器 功率器件
- 英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。
利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。
相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波長的藍位移隨著驅動電流增加而
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GaN LED
- 英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波
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GaN LED
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發實驗室-HRL實驗室已經宣布其實現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。
在此過程中，該實驗室已經確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。
氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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GaN 場效應晶體管
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產業和技術展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創業基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經是比較大的挑戰了。所有這一切都意味著電子產業會越來越依賴新型功
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GaN 功率器件
- 未來虛擬現實和智能汽車成為焦點，VR將會引發的變革成了全產業鏈熱議的話題，VR也必會給物聯網產業帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
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物聯網 GaN
- 近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現代人類信息化社會發展的基石，是推動節能減排、轉變經濟發展方式，提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發展的話語權?
第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN
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半導體 GaN
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