三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導入EUV

　　隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。

　　根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，可以大大縮小芯片面積。 另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。 未來，三星的 11LPP 制程技術將填補 14 奈米與、10 奈米制程之間的空白，號稱可在同等晶體管數量和功耗下，比 14LPP 制程技術提升 15% 的性能，或者降低 10% 的功耗。 另外，還可以使得晶體管的密度也有所提升。

　　至于，三星于 2016 年 10 月開始投產 10 奈米制程技術「10LPE (10nm Low Power Early)」。 而目前已經完成研發，達到即將投產的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」狀態，主要將可協助生產更高規格的智能型手機芯片。 而三星的 14 奈米制程技術部分，則將以主流、低功耗和緊致型的芯片生產為主。 目前，三星還在積極開發增加新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。

　　另外，三星還表示，未來還一路準備了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米制程技術，其中 7 奈米的 7LPP 版本還將會全面加入 EUV 極紫外光刻設備制程，而且確認將在 2018 年下半年試產。 不過，也另有報導表示，在那之前的 2018 年上半年，三星會首先在 8LPP 制程的特定制程上開始使用 EUV。

　　三星指出，2014 年以來，已經使用 EUV 技術處理了接近 20 萬片晶圓，并取得了豐碩成果。 比如 256Mb SRAM 的產品良率已經達到了 80%。 而也因為三星有晶圓代工，DRAM，NAND Flash 的制造與生產能力，又在內存產品的市占率上獨占鰲頭。 使得，三星具有雄厚的本錢可以使用 EUV 的設備。 但是，這也使得其他競爭廠商產生龐大的成本壓力。 因為， EUV 的價值不斐，要能夠有效率的應用以增加收入，這對其他內存廠商來說是一件具備壓力的事情。