格芯終止7nm FinFET工藝研發，接下來要發大招？

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)公司宣布，將擱置7納米 FinFET項目，并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。在裁減相關人員的同時，一大部分頂尖技術人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產品和其他差異化產品的工作上。

　　格芯方面表示，他們正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖，以服務未來幾年采用該技術的下一波客戶。公司將相應優化開發資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能。

　　與此同時，格芯方面宣布，為了更好地施展格芯在ASIC設計和IP方面的強大背景和重大投資，公司正在建立獨立于晶圓代工業務外的ASIC業務全資子公司。相關的ASIC業務需要持續使用最先進的技術。該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項，讓ASIC業務部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統公司，他們需要ASIC服務同時生產規模需求無法僅由格芯提供。

　　這是湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)在今年年初接任首席執行官后做出的一個重大決定。

　　“客戶對半導體的需求從未如此高漲，并要求我們在實現未來技術創新方面發揮越來越大的作用”。嘉菲爾德表示，“今天，絕大多數無晶圓廠客戶都希望從每一代技術中獲得更多價值，以充分利用設計每個技術節點所需的大量投資。從本質上講，這些節點正在向為多個應用領域提供服務的設計平臺過渡，從而為每個節點提供更長的使用壽命。這一行業動態導致設計范圍到達摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉變業務重心，加倍投資整個產品組合中的差異化技術，有針對性的服務不斷增長的細分市場中的客戶。”

　　格芯正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領域，著重投資能在其產品組合中提供豐富功能的產品。這包括繼續側重于FDX?平臺、領先的射頻產品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號，以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設計需求的其他技術。隨著自動駕駛、物聯網和全球過渡至5G等新領域的強勁需求，格芯被賦予與眾不同的定位——服務“智能互聯”這一新興市場。

　　“減輕前沿技術領域的投資負擔將使格芯能夠對物聯網、IoT、5G行業和汽車等快速增長市場中對大多數芯片設計人員真正重要的技術進行更有針對性的投資，” Gartner研發副總裁Samuel Wang，先生表示，“雖然最先進技術往往會占據大多數的熱搜頭條位置，但鮮少有客戶能夠承擔為實現7納米及更高精度所需的成本和代價。14納米及以上技術將在未來許多年繼續成為芯片代工業務的重要需求及驅動因素。這些領域將有極大的創新空間，可以助力下一輪科技發展狂潮。”

　　晶圓代工老二的求變

　　格芯前身是AMD的晶圓制造部門，在2009年的時候，因為公司業務調整，AMD將其獨立出來，成立了獨立的晶圓代工廠格芯。現在的格芯被由阿布扎比比穆巴達拉投資公司(Mubadala Investment Company)所有。

　　根據國際知名分析機構ICcinsights的統計數據顯示，2017年，格芯的營收約為60.6億美元，成為僅次于臺積電的全球第二大純晶圓代工廠。拓墣產業研究院最新的數據也顯示，在今年上半年，格芯的營收約為26.05億美元，依然位居全球第二的位置。正如前面所說，這是格芯堅持兩步走的戰略所達成的。

　　但和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰。

　　過去幾十年，在摩爾定律的指導下，全球晶圓廠都在按照18個月的周期去推動工藝的進步，但隨著工藝的微縮，進入最近幾年，硅片的局限突顯，制約了了平面晶體管的進一步微縮。與此同時，UC伯克利胡正明明教授提出了FinFET晶體管的概念，并最初由英特爾在22nm工藝上首先實現，繼續延續摩爾定律，推動芯片的持續微縮。與此同時，三星，臺積電和格芯等領先的純晶圓代工廠也在同步推進FinFET工藝的研發，并將制程工藝推進到了7nm。與此同時，業界也在探索FD-SOI的解決方案。