據日經新聞（Nikkei）報道，中國半導體廠商（不含晶圓代工廠）的營收在2024年達到269億美元，同比增長21%，但這一增速仍低于全球半導體市場25%的整體增長率。全球市場份額也從2023年的4.1%下降至2024年的3.9%。這一現象的背后，是美國對中國半導體制造設備出口限制的持續升級。中國半導體產業目前主要依賴28納米及以上制程技術的成熟芯片生產，而生成式AI所需的4納米及以下先進制程芯片仍無法實現自主供應。中芯國際雖已實現7納米制程，但這一技術節點仍無法滿足生成式AI對高性能芯片的需求。例如，NV
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Synopsys 為 Intel Foundries 的 18A 和 18A-P 更高性能工藝技術開發了生產就緒型設計流程。這些產品將于今年晚些時候進入量產，用于使用 RibbonFET 全環繞柵極 （GAA） 晶體管和第一個背面供電架構的 1.8nm 設計。兩家公司還致力于英特爾 14A-E 高效低功耗工藝的早期設計技術協同優化。這是 Intel Foundry 和 Synopsys 工程團隊之間廣泛設計技術協同優化 （DTCO） 努力的結果。Synopsys 還針對 Intel 18A 優化了其 IP
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Synopsys 英特爾 18A-P
一文帶你看懂英特爾的先進制程工藝和高級系統級封裝技術的全部細節... 1. 制程技術Intel 18A 英特爾18A制程節點正在按既定計劃推進，首個外部客戶的流片工作將于2025年上半年完成。Intel 18A預計將在2025年下半年實現量產爬坡，基于該制程節點的首款產品，代號為Panther Lake，將于2025年年底推出，更多產品型號將于2026年上半年發布。【英特爾新篇章：重視工程創新、文化塑造與客戶需求；英特爾發布2025年第一季度財報
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4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節點的后續一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節點現在處于風險生產階段，預計今年晚
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財聯社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
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4月24日電，臺積電計劃在2028年開始生產A14芯片技術，旨在保持芯片行業的領先地位。該技術將推動這家全球最大芯片制造商超越其當前最先進的3納米制程，以及今年晚些時候將推出的2納米制程。臺積電還計劃在2026年末推出中間的A16制程。
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4 月 21 日消息，2025 年超大規模集成電路研討會（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導體領域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發布預覽文檔，簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術細節。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節點在性能、能耗及面積（PPA）指標上均實現顯著提升，將為消費級客戶端產品與數據中心產品帶來實質性提升。英特爾聲稱，在相同電壓（1.1V）和復雜度條件下，I
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英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會上宣布了公司 18A 工藝節點的進展。?在 2025 年愿景會議上，英特爾今天宣布已進入其 18A 工藝節點的風險生產，這是一個關鍵的生產里程碑，標志著該節點現在處于小批量測試制造運行的早期階段。英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因為英特爾即將完全完成其“四年五個節點”（5N4Y） 計劃，該計劃最初由前首席執行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
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臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執行長陳立武帶領下，著重發展半導體設計與代工能力，正積極爭取英偉達與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達比博通更有機會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產品，但效能與功耗仍是英偉達考慮的重點。 另一方面，英特爾透過改善先進封裝技術，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯電的合作相當順利，最快可能在202
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Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產計劃有望提早實現。Intel工程經理Pankaj
Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強調這一節點開發是先進制程研發的重要里程碑。從中我們了解到Intel
18A節點已開始批量生產首批晶圓，供客戶進行測試與評估。這標志著英特爾18A節點的工藝設計套件（PDK）正式進入1.0版本，客戶已開始利用該套件進行定制芯片的測試。Intel
18
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盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務的使用，但該公司將在可預見的未來繼續從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內部生產盡可能多的產品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產品的百分比應該在臺積電生產。“我認為一年前我們在談論盡快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經不是策略了，”英特爾企業規劃和投資者關系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術、媒體和電信會議上說。“我們認為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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近日，英特爾宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。該制程將導入多項先進半導體技術。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther
Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
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英特爾在國際固態電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A
工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統與 RibbonFET (GAA)
晶體管相結合，是英特爾節點的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現了從英特爾 3 的
0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了
0.77 和
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在CES 2025上的處理器大廠英特爾演講中，英特爾臨時聯合執行長Michelle Johnston宣布，首款Intel 18A節點制程芯片，也就是英特爾Panther Lake處理器將于2025年下半年發表。演講中，Johnston還展示了 Panther Lake 芯片的樣品，并表示芯片已經在測試中，她對 intel 18A 節點制程的成果非常滿意。Johnston宣布Intel 18A節點制程將于2025年晚些時候發表。 她強調，英特爾會在2025年及以后繼續增強AI PC產品組合，向客戶提供領先的
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Intel 18A芯片現已上電運行，并順利啟動操作系統，將用于明年推出的新一代客戶端和服務器產品。外部客戶產品將于明年上半年完成流片。英特爾宣布，基于Intel 18A制程節點打造的首批產品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務器處理器Clearwater Forest，其樣片現已出廠、上電運行并順利啟動操作系統。距離流片僅隔不到兩個季度，英特爾便再次取得了突破性進展。目前，Panther Lake和Clearwater Forest均進展順利，預計將于2025年開始量產。此外，英特爾還
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18a 制程技術介紹
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