18a 制程技術(shù) 文章 進(jìn)入18a 制程技術(shù)技術(shù)社區(qū)
首發(fā)18A工藝!Intel第三代酷睿Ultra Panther Lake已點(diǎn)亮 明年見
- 8月7日消息,Intel即將發(fā)布第二代酷睿Ultra處理器,包括低功耗的Lunar Lake(9月4日0點(diǎn))、高性能的Arrow Lake(10月K系列其他明年CES),現(xiàn)在又公布了后續(xù)第三代酷睿Ultra Lunar Lake。Intel官方宣布,Intel 18A(1.8nm級(jí)別)制造工藝、Panther Lake酷睿處理器、Clearwater Forest至強(qiáng)處理器(或?yàn)橹翉?qiáng)7)都已經(jīng)走出實(shí)驗(yàn)室,成功點(diǎn)亮,并進(jìn)入操作系統(tǒng)!其中,Panther Lake搭配的內(nèi)存已經(jīng)可以運(yùn)行在設(shè)定的頻率上,顯示性能
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英特爾 Arm 確認(rèn)新興企業(yè)支持計(jì)劃,助力創(chuàng)企 18A 制程芯片開發(fā)
- 3 月 25 日消息,英特爾與 Arm 近日簽署諒解備忘錄,確認(rèn)了在“新興企業(yè)支持計(jì)劃”上的合作。該計(jì)劃最初于 2 月的 Intel Foundry Direct Connect 活動(dòng)上公布。根據(jù)該計(jì)劃,雙方將聯(lián)手支持初創(chuàng)企業(yè)基于 Intel 18A 制程工藝開發(fā) Arm 架構(gòu) SoC。具體而言,英特爾和 Arm 將在 IP 和制造上共同向創(chuàng)企給予支持,同時(shí)提供財(cái)政援助,以促進(jìn)這些企業(yè)的創(chuàng)新和增長(zhǎng)。這些創(chuàng)企將為各類設(shè)備和服務(wù)器研發(fā) Arm 架構(gòu)的 SoC,并由英特爾代工制造。從英特爾新聞稿得知,“新興企業(yè)
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新思科技與英特爾深化合作,以新思科技IP和經(jīng)Intel 18A工藝認(rèn)證的EDA流程加速先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)
- 摘要: 新思科技數(shù)字和模擬EDA流程經(jīng)過認(rèn)證和優(yōu)化,針對(duì)Intel 18A工藝實(shí)現(xiàn)功耗、性能和面積目標(biāo); 新思科技廣泛的高質(zhì)量 IP組合降低集成風(fēng)險(xiǎn)并加快產(chǎn)品上市時(shí)間,為采用Intel 18A 工藝的開發(fā)者提供了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì); 新思科技 3DIC Compiler提供了覆蓋架構(gòu)探索到簽收的統(tǒng)一平臺(tái),可實(shí)現(xiàn)采用Intel 18A和 EMIB技術(shù)的多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)。加利福尼亞州桑尼維爾,2024年3月4日 – 新思科技(Synopsys, I
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是德科技與Intel Foundry強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,成功驗(yàn)證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件
- ●? ?設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在可以使用 RFPro 對(duì) Intel 18A 半導(dǎo)體工藝技術(shù)中的電路進(jìn)行電磁仿真●? ?RFPro 能夠?qū)o源器件及其在電路中的影響展開電磁分析,為一次性打造成功的射頻集成電路設(shè)計(jì)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)是德科技與Intel Foundry強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,成功驗(yàn)證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件是德科技近日宣布,RFPro電磁(EM)仿真軟件作為是德科技 EDA 先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS)綜合工具套件中的一員,現(xiàn)已通過 Intel Foundry 認(rèn)證,
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英特爾Intel 18A向韓國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)者招手,爭(zhēng)取晶圓代工商機(jī)
- 根據(jù)韓國(guó)媒體TheElec的報(bào)導(dǎo),英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger去年會(huì)見韓國(guó)IC設(shè)計(jì)公司高層,并介紹英特爾芯片代工業(yè)務(wù)的最新發(fā)展。英特爾目標(biāo)是大力向韓國(guó)IC設(shè)計(jì)公司銷售晶圓代工服務(wù),以爭(zhēng)取商機(jī)。上周,英特爾首屆晶圓代工服務(wù)大會(huì)宣布,四年五節(jié)點(diǎn)計(jì)劃后,推出Intel 14A制程,芯片2027年量產(chǎn)。迄今晶圓代工業(yè)務(wù)已獲150億美元訂單,到2030年將成為全球第二大代工廠,目標(biāo)是超越排名第二的三星,僅次市場(chǎng)龍頭臺(tái)積電。韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),三星晶圓代工重點(diǎn)在爭(zhēng)取國(guó)際大廠訂單,所以韓國(guó)IC設(shè)計(jì)公司幾乎很難拿到三
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英特爾代工服務(wù)獲得1.8 納米Arm芯片訂單
- 到目前為止,英特爾代工服務(wù)已經(jīng)獲得了多個(gè)數(shù)據(jù)中心芯片訂單。
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魏哲家:2納米技?jí)簩?duì)手18A
- 臺(tái)積電19日法說會(huì),市場(chǎng)關(guān)注前瞻技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。臺(tái)積電總裁魏哲家強(qiáng)調(diào),2納米進(jìn)度樂觀,維持2025年進(jìn)入量產(chǎn)步調(diào);3納米家族持續(xù)進(jìn)步,N3E通過認(rèn)證已達(dá)良率目標(biāo)。他更透露N3P經(jīng)內(nèi)部評(píng)估,整體功耗表現(xiàn)足以與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手18A(2納米以下制程)匹敵,甚至享有更好的技術(shù)成熟度與成本優(yōu)勢(shì),因此可以肯定,2納米(with backside power rail)也將優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。魏哲家補(bǔ)充,HPC、智能型手機(jī)客戶對(duì)2納米抱持高度興趣,預(yù)計(jì)2025年上半年便能供貨給客戶,并于2026年進(jìn)入量產(chǎn);他分析,AI需求著重提升能
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郭明錤:Arm 有望成為英特爾 18A 制程代工客戶,生產(chǎn)其自家芯片
- 9 月 10 日消息,英特爾此前曾宣布與 Arm 建立合作關(guān)系,在 Intel 18A 制程上優(yōu)化 Arm IP,進(jìn)一步降低采用 Arm IP 的客戶采用 Intel 18A 的成本與風(fēng)險(xiǎn)。郭明錤最新的調(diào)查顯示,Arm 和 Intel 之間的合作不僅限于先進(jìn)的制程優(yōu)化。Arm 很可能成為 Intel 18A 客戶,這意味著 Intel 將使用 18A 生產(chǎn) ARM 自家芯片。當(dāng)然,由于沒有基帶 IP,而且考慮到現(xiàn)有智能手機(jī)客戶(如蘋果、高通等),Arm 芯片大概率不會(huì)涉及手機(jī)方面。郭明錤認(rèn)為,如果 Arm
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聯(lián)發(fā)科或?qū)⒊蔀镮ntel首個(gè)18A工藝客戶
- 近年來,Intel制定了4年掌握5代制程技術(shù)的IDM 2.0戰(zhàn)略,決心在2025年重回半導(dǎo)體領(lǐng)先地位。在IDM 2.0戰(zhàn)略中,IFS芯片代工業(yè)務(wù)的重要性與x86芯片生產(chǎn)相當(dāng),為了推動(dòng)IFS芯片代工業(yè)務(wù)的發(fā)展,Intel對(duì)該部分業(yè)務(wù)進(jìn)行了獨(dú)立核算并積極爭(zhēng)取客戶。其中,備受關(guān)注的18A工藝是其重現(xiàn)輝煌的關(guān)鍵,Intel表示18A工藝不僅在技術(shù)水平上超過了臺(tái)積電、三星等公司的2nm工藝,而且在進(jìn)度上也領(lǐng)先于它們。據(jù)悉,Intel正全力以赴地推進(jìn)內(nèi)部和外部測(cè)試18A工藝芯片,有望在2024年下半年實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒
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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

- 英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì),公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(kù)(library cell)的密度則是2倍,同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo):它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸(Critic
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體(ST)宣布,電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng),表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來,BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)/
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Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上,Intel曾提到會(huì)在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù),而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對(duì)手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì)在2012年啟用22nm制程技術(shù),兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段,有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來,不過按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算,預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì)在2013年左右。
- 關(guān)鍵字: Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)
臺(tái)積電0.18微米晶圓制程技術(shù)登陸案獲準(zhǔn)
- 臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)”委員會(huì)議 通過臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)將其上海廠晶圓制程技術(shù)提升為零點(diǎn)一八微米以上申請(qǐng)案。這是臺(tái)灣方面去年底開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準(zhǔn)投資案。 “中央社”報(bào)道,臺(tái)灣有關(guān)方面去年底宣布開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程赴大陸投資,唯一獲準(zhǔn)在大陸投資設(shè)立八吋、零點(diǎn)二五微米晶圓廠的臺(tái)積電率先提出提升制程申請(qǐng)。 臺(tái)積電早于二00五年一月即向當(dāng)局提出赴大陸投資零點(diǎn)一八微米制程申請(qǐng),當(dāng)局直至去年底政策才正式松綁。臺(tái)積電遂補(bǔ)件申請(qǐng)。 二十日
- 關(guān)鍵字: 0.18微米晶圓 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 臺(tái)積電 制程技術(shù) 其他IC 制程
18a 制程技術(shù)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條18a 制程技術(shù)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)18a 制程技術(shù)的理解,并與今后在此搜索18a 制程技術(shù)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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