作為第三代半導體兩大代表材料,SiC產業正在火熱發展,頻頻傳出各類利好消息;GaN產業熱度也正在持續上漲中,圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作,不時有新動態披露。在關注度較高的擴產項目方面,上個月,能華半導體張家港制造中心(二期)項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。據悉,能華半導體張家港制造中心(二期)項目總投資6000萬元,總建筑面積約10000平方米,將新建GaN外延片產線。項目投產后,將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日,又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi),將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業市場可持續性能源發展的廣泛應用場景,共同探討最新的能效設計挑戰,展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們,加速先進功率半導體技術的落地,實現應用系統的最佳能效。在中國,市場對SiC的需求強勁,應用場景日益多樣化。新能源
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安森美 碳化硅 功率解決方案
隨著人工智能技術的飛速發展,越來越多的企業開始探索如何將人工智能技術融入業務流程中,以提升質量、降本增效。在高精尖制造業領域,人工智能、自動駕駛等新興產業對碳化硅材料的需求日益增多,大力發展碳化硅產業,可帶動原材料與設備2000億級產業,加快我國向高端材料、高端設備制造業轉型發展的步伐。廣東天域聯手浪潮信息,為MES關鍵業務打造穩定、高效、智能的數據存儲底座,讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年,是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業化的企業
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碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
電池組,無疑是電動汽車心臟般的存在,它不僅是車輛動力之源,更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件,電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量,而其內部的每一個電池單元都需要經過精密的監測和控制,以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(BMS),作為電池組的“大腦”,其任務繁重且關鍵。它要實時監控每一個電池單元的健康狀況,確保它們的平衡與穩定;還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統,確保電池在各種環境條件下都能維持最佳的工作狀態;此外,BMS還需實時報告電池的充電狀態,以便駕駛員能夠準確了
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BMS 電動汽車 碳化硅 Power Integrations
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化,如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發者提高開關頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實用設計技巧。本文為第一部分,將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
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碳化硅 SiC MOSFET
3月28日,小米公司正式發布了小米SU7,一共有三款配置,分別是小米SU7 標準版,售價21.59萬元;小米SU7 Pro版,售價24.59萬元;小米SU7 Max版,售價29.99萬元。圖片來源:小米公司2021年3月,小米創始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去,小米SU7正式發布,其相關供應商也浮出水面,既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商,也包含了比亞迪、寧德時代、揚杰科技等本土供應鏈廠商。芯片領域,英偉達為小米汽車提供自動駕駛芯片,小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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小米 汽車 碳化硅
華泰證券發布研報稱,在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上,華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業交流,并參加相關行業論壇,歸納出以下趨勢:1)前道設備:下游需求旺盛,國產廠商持續推出新品,完善工藝覆蓋度;2)后道設備:AI拉動先進封裝需求,測試機國產化提速;3)SiC:2024或是襯底大規模出海與國產8寸元年;4)元宇宙和微顯示:硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案,AI大模型出現可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長。 華泰證券主要觀點如下:
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元宇宙 AR VR 碳化硅 先進封裝
服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作,設計及研發使用ST被業界認可的碳化硅(SiC)、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。該參考方案是電源設計數位電源轉換器應用的理想選擇,尤其在服務器、數據中心和通信電源的領域。隨著人工智能(AI)、5G和物聯網(IoT)的推波助瀾下,對數位服務的需求持續成長,能源及用電控制是數據中心永續發展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
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意法半導體 碳化硅 數字電源 數位電源 電源 肯微
3月27日,Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示,工廠已開始安裝長晶設備,預估今年12月份或者明年1月,這座工廠將會有產出。該工廠將主要制造200mm(8英寸)碳化硅晶圓,尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍,滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
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功率半導體 碳化硅
據Wolfspeed官微消息,全球碳化硅技術引領者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據悉,John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元,占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴大Wolfspeed材料產能,滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求。產能的爬坡將為近期簽訂的客戶協議(瑞薩、英飛凌、以及其他企業等)提供支持,推動具有重要
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Wolfspeed 碳化硅
2024年3月27日,Wolfspeed宣布,其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,獲得了來自公共部門和私營機構的支持,將助力從硅向碳化硅的產業轉型,提升對于能源轉型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝,一期建設預計將于2024年底竣工,該中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴大Wolfspeed材料產能,滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
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芯片制造 功率半導體 碳化硅
3月28日消息,當地時間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長晶爐設備進場,預計2024年底將完成一期工程建設,2025年上半年開始生產,預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協議,查塔姆工廠的投建將為這些協議提供支持,同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
隨著近年來對碳化硅(SiC)襯底需求的持續激增,市場研究公司TrendForce表示,對于SiC的成本降低呼聲越來越高,因為最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優勢,大尺寸襯底逐漸開始被采用,市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算,從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時,8英寸襯底可以生產更多的芯片,從而減少邊緣浪
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SiC 碳化硅
3月20日,春分時期,萬物復蘇,SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕。現場一片繁忙熱鬧,據悉本次展會面積達90000平方米,共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區。本次展會中,碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業鏈格外亮眼,據全球半導體觀察不完全統計,共有近70家相關企業帶來了一眾新品與最新技術,龍頭企業頗多,材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業,設備端則如晶盛機電、中微公司
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受惠于下游應用市場的強勁需求,碳化硅產業正處于高速成長期。據TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期,備受關注的碳化硅市場又有了新動態,涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業。三菱電機SiC工廠預計4月開建據日經新聞近日報道,三菱電機將于今年4月,在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠,并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月,三菱電機宣布,計劃在5年內投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設一個
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新能源汽車 碳化硅 第三代半導體
碳化硅介紹
碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
制造
由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物,并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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