據“融中心”消息，大連市中韓經濟文化交流協會、韓中文化協會及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標志著三方在碳化硅領域的合作正式開始。據悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調關鍵零部件的生產展開，將共同打造高質量的碳化硅產品生產線。據了解，今年以來，部分韓國半導體廠商正在持續發力碳化硅產業，并不斷取得新進展。據韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube
Semi宣布，已在韓國首次成功開發出2
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國際能源署（IEA）今年發布的報告稱，2023年全球與能源相關的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創新的記錄。其中，交通運輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發電驅動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實現氣候目標的關鍵。與電動汽車不同的是，電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區的軌道交通電氣化率存在
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9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網宣布，其與Soitec簽署了一項合作協議，雙方將共同開發用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉型據悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術，該技術通過處理高質量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產出多個高質量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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美國和印度達成協議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業的雄心計劃。據白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統拜登和莫迪在特拉華州會晤后發布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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幾十年來，電網一直是電力生產單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發電需求的不斷增長，現有電網唯有成功應對新的挑戰（包括整合儲能系統），才能確保在用電高峰期電力供應充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現已攜手 Wolfspeed 開發解決方案，共同應對儲能挑戰。此次強強聯合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網儲能系統比以往任何時
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幾十年來，電網一直是電力生產單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發電需求的不斷增長，現有電網唯有成功應對新的挑戰（包括整合儲能系統），才能確保在用電高峰期電力供應充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現已攜手 Wolfspeed 開發解決方案，共同應對儲能挑戰。此次強強聯合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網儲能系統比以往任何時候
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近日，我國在8英寸碳化硅領域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術，我們拭目以待。關鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日，中國電科48所自主研發的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。圖片來源：中國電科據中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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9 月 3 日消息，“南京發布”官方公眾號于 9 月 1 日發布博文，報道稱國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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據南京發布近日消息，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時4年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
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正如業界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產業熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產能；英國Alan
Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific
Visual建立合作伙伴關系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech
Electronics收購美國碳化硅相關公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協
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近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術發展的必然趨勢。業界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現在的6英寸碳化硅產品都將被8英寸產品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據全球半導體觀察不完全統計，英
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據外媒報道，8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購美國公司Nisene
Technology Group Inc。此次收購由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics
Intelligent Materials Pte Ltd.執行。Nisene即將上任的首席執行官Ryan
Young表示，此次收購補充了Polymatech的尖端產品組合，并推動了新產品的開發。資料顯示，Nisene自20世紀70
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●? ?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產運營啟動儀式?！? ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。●? ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續擴建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節能和可持續舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執行官Jochen Han
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IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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毋庸置疑，從社會發展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰。無論是生產要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環境中持續可靠地運行。為了進一步推動這些可持續解決方案，
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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