碳化硅 文章 進入碳化硅技術社區(qū)
EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時
- 關鍵字： EPC Power Wolfspeed 碳化硅 模塊化 電網(wǎng)級儲能
EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應對新的挑戰(zhàn)（包括整合儲能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應對儲能挑戰(zhàn)。此次強強聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲能系統(tǒng)比以往任何時候
- 關鍵字： EPC Power Wolfspeed 碳化硅 電網(wǎng)級儲能方案
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內(nèi)應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
國家隊加持，芯片制造關鍵技術首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內(nèi)應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
- 關鍵字： 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
碳化硅，跨入高速軌道
- 正如業(yè)界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產(chǎn)能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協(xié)
- 關鍵字： 碳化硅
8英寸碳化硅，如火如荼
- 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，英
- 關鍵字： 碳化硅
碳化硅半導體--電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術
- 毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運行。為了進一步推動這些可持續(xù)解決方案，
- 關鍵字： 安森美 碳化硅
碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
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- 關鍵字： 碳化硅
環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國至多4億美元補助
- 當?shù)貢r間7月17日，美國商務部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表
- 關鍵字： 環(huán)球晶圓 晶圓廠 碳化硅
基本半導體銅燒結技術在碳化硅功率模塊中的應用
- 引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結技術已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
- 關鍵字： 基本半導體 銅燒結 碳化硅 功率模塊
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現(xiàn)
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]
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