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        全球加速碳化硅產能擴充

        作者: 時間:2024-03-18 來源:全球半導體觀察 收藏

        受惠于下游應用市場的強勁需求,產業正處于高速成長期。據TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202403/456452.htm

        近期,備受關注的市場又有了新動態,涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業。

        三菱電機SiC工廠預計4月開建

        據日經新聞近日報道,三菱電機將于今年4月,在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠,并計劃于2026年4月投入運營。

        2023年3月,三菱電機宣布,計劃在5年內投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設一個8英寸SiC工廠,并加強相關生產設施。該廠房計劃于2026年4月投入運營。

        據了解,該新工廠共有六層,總建筑面積約4.2萬平方米,將主要負責8英寸SiC晶圓的前端工藝。三菱電機將在全工序段引入自動輸送系統,打造生產效率高的生產線,并計劃逐步提高產能,目標在2026財年將SiC產能提升5倍(與2022財年相比)。

        2023年5月,三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄,Coherent將為三菱電機新工廠供應8英寸n型4HSiC襯底,雙方共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產規模。

        芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產能爬坡

        近日,據芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹,目前整個工廠正在擴產爬坡,預計今年年底實現年產24萬片6英寸車規級SiC芯片的規劃產能。預留的8英寸產線就在6英寸產線隔壁,建成后將具備年產24萬片8英寸車規級SiC芯片的能力。

        據此前消息,芯粵能(SiC)芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目,總投資額為75億元,占地150畝,一期投資35億元,建成年產24萬片6英寸SiC芯片的生產線,二期建設年產24萬片8英寸SiC芯片的生產線,產品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件,主要應用于、光伏、智能電網等領域。

        2022年11月,該項目無塵車間正式啟用,目前已經實現月產1萬片產能,車規級和工控級芯片成功流片并送樣,即將完成車規認證。截至目前,芯粵能已與40多家客戶簽約流片,覆蓋全國大部分SiC芯片設計企業。

        美爾森加碼SiC襯底項目

        3月12日,歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應商美爾森宣布,公司獲得法國政府投資,將用于SiC襯底項目的產能擴充。該筆補貼金額或將超過1200萬歐元(約合人民幣0.94億),來自于“法國2023計劃”——微電子和通信技術歐洲重要聯合利益項目。

        美爾森表示,他們計劃借此推進p-SiC襯底的研發和工業生產階段,p-SiC是一種低電阻率多晶SiC襯底,可以與單晶SiC有源層相結合,有助于SiC器件廠商提高產量和晶體管性能。

        美爾森預計,在2023至2025年將投資8500萬歐元(約合人民幣6.7億),雇傭80至100名員工,推動法國熱訥維耶工廠的產能建設,并在2027年之前達到40萬片襯底(150mm)的潛在制造能力。

        此外,美爾森將為Soitec公司供應碳化硅襯底。2021年11月,美爾森與Soitec達成戰略合作伙伴關系,憑借各自在基板和材料方面的經驗,雙方聯合開發的極低電阻率多晶SiC襯底將用于Soitec Smart SiC?技術設計的SiC電力電子元件。

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