作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優異的物理和化學特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動汽車、軌道交通、智能電網、通信雷達和航空航天等領域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產業鏈上，關鍵部分主要集中
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碳化硅
碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。據介紹，中央硝子開發出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態等，成功量產出了6
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碳化硅 襯底
6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產量和生產率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉向8英寸?！彪S著晶圓尺寸的增加，每片可以生產更多的芯片，每顆芯片的生產成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
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碳化硅 意法半導體
●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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安森美 碳化硅 功率半導體
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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SiC MOS 碳化硅 MOSFET
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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作為天岳先進三大SiC材料生產基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P注。近日，天岳先進上?；仨椖颗读俗钚逻M展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產業區的生產基地第一個項目完成驗收，意味著該生產基地由此進入新的發展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產據悉，天岳先進上海基地項目最初于2021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年。從投資規模和產能規劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進的市場地位再進一步。近年來
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天岳先進 碳化硅
●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產業園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區內完成從芯片研發到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業客戶的電氣化進程和高能效轉型服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產，到2033年達到滿負荷生產，滿產狀態下每周可生產多達15,000
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根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業，目前已成功開發了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業電力電子變換器、電力電子繼電器等產品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發、成果轉移轉化
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作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業正在火熱發展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業市場可持續性能源發展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現應用系統的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
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隨著人工智能技術的飛速發展，越來越多的企業開始探索如何將人工智能技術融入業務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業領域，人工智能、自動駕駛等新興產業對碳化硅材料的需求日益增多，大力發展碳化硅產業，可帶動原材料與設備2000億級產業，加快我國向高端材料、高端設備制造業轉型發展的步伐。廣東天域聯手浪潮信息，為MES關鍵業務打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業化的企業
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電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個電池單元都需要經過精密的監測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務繁重且關鍵。它要實時監控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環境條件下都能維持最佳的工作狀態；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態，以便駕駛員能夠準確了
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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