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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
關(guān)鍵字： SiC MOSFET RSP

　　1 引言　　大多數(shù)接收機(jī)必須處理動(dòng)態(tài)范圍很大的信號(hào)，這需要進(jìn)行增益調(diào)整，以防止過(guò)載或某級(jí)產(chǎn)生互調(diào)，調(diào)整解調(diào)器的工作以優(yōu)化工作。在現(xiàn)代無(wú)線電接收裝置中。可變?cè)鲆娣糯笃魇请娍氐模⑶耶?dāng)接收機(jī)中使用衰減器時(shí)，他們通常都是由可變電壓控制的連續(xù)衰減器。控制應(yīng)該是平滑的并且與輸入的信號(hào)能量通常成對(duì)數(shù)關(guān)系(線性分貝)。在大多數(shù)情況下，由于衰落，AGC通常用來(lái)測(cè)量輸入解調(diào)器的信號(hào)電平，并且通過(guò)反饋控制電路把信號(hào)電平控制在要求的范同內(nèi)。　　2 系統(tǒng)總體設(shè)計(jì) 　　在本設(shè)計(jì)中，前端TD_SCDM
關(guān)鍵字： TD_SCDMA AGC FPGA RSP IIR

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