碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。綜合這
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安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)
- 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
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碳化硅可靠性驗證要點
- 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風(fēng)
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光伏逆變器市場狂飆，全SiC模組會成為主流嗎？
- 隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場上有廣泛應(yīng)用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風(fēng)能和太陽能的總發(fā)電量已經(jīng)超過了水力發(fā)電。預(yù)計到2028年，清潔能源的比重將達(dá)到42%。中國市場增長勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅(qū)動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產(chǎn)
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅(qū)動工廠開業(yè)
- 據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅(qū)動工廠—采埃孚電驅(qū)動系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅(qū)動工廠，沈陽工廠將生產(chǎn)和銷售新能源汽車電驅(qū)動橋三合一總成等產(chǎn)品。據(jù)介紹，沈陽電驅(qū)動工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車的電驅(qū)動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅(qū)動工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動技術(shù)（杭州）有限公司二期項目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個關(guān)注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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手搓了一個3kW碳化硅電源！實測一下！
- 做了一個3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設(shè)計出來的（第2章）？實測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設(shè)計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級PFC環(huán)節(jié)；②
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名
- 為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細(xì)地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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意法半導(dǎo)體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档汀|芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設(shè)計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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碳化硅6吋基板供過于求 價格崩盤
- 碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開出，嚴(yán)重供過于求，報價幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價），第四季價格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因為買方預(yù)期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報價已快速下滑，尤其是中國大陸價格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作
- 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進展。據(jù)韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
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