碳化硅大風，吹至半導體設備

2025年以來，碳化硅產業迎來關鍵發展節點，正式步入8英寸產能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發貨之后，碳化硅設備領域又傳動態：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。 

近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備NanoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產品還成功贏得了國內半導體行業頭部企業的重復訂單。 

中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多的研發資源，通過高精度多模式缺陷檢測技術的升級、人工智能AI缺陷識別算法的系統優化、設備整體性能提升等多方面的努力，使SiC晶圓制造的質量和效率得到顯著提升。

 source：“中導光電”官微

洞察SiC晶圓制造檢測難點

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，近年來在半導體領域中備受矚目。與傳統的硅基半導體材料相比，碳化硅具有寬帶隙、高擊穿電場、高電子飽和漂移速度、高熱導率等優異特性。這些特性使得碳化硅在高溫、高頻、高功率的應用場景中展現出明顯優勢，廣泛應用于新能源、5G通信、電動汽車等領域。 

在新能源汽車中，碳化硅功率器件能夠有效降低能量損耗，提升續航里程；在5G通信基站里，它能滿足高頻信號處理的需求，實現更高效的數據傳輸。

然而，要充分發揮碳化硅的這些優勢，高質量的SiC晶圓制造至關重要，其中碳化硅設備扮演著不可或缺的角色。 SiC晶圓制造過程對缺陷檢測的要求極高，因為任何微小缺陷都可能影響最終產品的性能。

SiC晶圓缺陷檢測的難點眾多，比如材料特性復雜，其晶體結構和物理性質與傳統硅材料有很大差異，增加了檢測難度；納米級缺陷檢測需要極高的精度，而高靈敏度要求使得檢測過程中區分真實缺陷和噪聲信號成為挑戰；此外，SiC晶圓的多層結構也給檢測帶來困難。 

同時，SiC缺陷類型多樣，在檢測過程中需要精準區分真實缺陷和噪聲信號，這對算法和設備的穩定性提出了更高要求。再加上SiC晶圓的高成本，要求檢測設備在保證高精度的同時，還要具備較高的檢測效率，以降低整體生產成本。

碳化硅產業競爭白熱化

目前，碳化硅產業競爭較為激烈。除了中導光電在缺陷檢測設備方面取得進展外，還有眾多企業也在積極從產業鏈不同環節進行布局。

source：拍信網 

近期有消息傳出，德國汽車零部件供應商博世已與美國商務部達成初步協議，計劃投資19億美元把加州的羅斯維爾制造設施工廠改造為生產8英寸碳化硅芯片的半導體工廠。 

而重慶8英寸碳化硅項目預計2025年2月底通線，該項目由三安光電和意法半導體合資建廠，全面整合8英寸車規級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發制造。 

英飛凌馬來西亞居林高科技園區第三廠區已經正式落成并開始運作，以碳化硅為主力，預計2025年開始量產，目前初期碳化硅生產仍以成熟的6寸晶圓為主，2027全面轉向8寸晶圓。 

據此前市場透露，2025年，芯聯集成計劃進入規模量產，其在2024年4月率先開啟8英寸碳化硅生產；南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項目計劃2025年實現滿產達產，規劃打造全國最大的8英寸碳化硅襯底生產基地。

結語

據TrendForce集邦咨詢研究數據指出，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球SiCPowerDevice市場規模有望達到91.7億美金。 總體而言，隨著全球對碳化硅需求的持續攀升，未來碳化硅產業將呈現技術與市場雙輪驅動的發展態勢。

碳化硅在新能源汽車、5G通信、航空航天、智能電網等更多領域持續拓展應用，也將進一步刺激市場對碳化硅設備的需求，推動整個產業鏈的發展壯大。 業界稱，未來行業研發重點將集中于提升設備精度、效率以及降低成本。在晶體生長設備方面，如何生長出更大尺寸、更高質量的碳化硅晶體，減少晶體缺陷，將成為技術突破的關鍵方向。