近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產業化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產能力實現大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關鍵材料。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發生產，實現一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發。同時，積極與國產設備廠商合作開發生產裝備，推動碳化硅核心裝備國產化。未來，電科材料將持續創新突破，推出更多高端碳化硅材料產品。
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電科材料 6英寸 碳化硅
4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
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功率半導體 IGBT MOSFET SIC
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
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SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
大家應該還記得，當遭受國補退坡重創的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開始走出國補退坡的陰影時，市面上開始出現了一些在性能上追平甚至超越傳統燃油車的電動汽車，當時的電動車市場呈現出來的是典型的啞鈴型結構：便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級車和C級車）賣得很好，但在10-30萬的主流區間，電動車企的表現一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺，歷時五年的時間，A00車已經達到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風云變幻，正如歐
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被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業近日又隨著華為發布SiC電驅平臺再被關注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產業鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發布會，并發布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構”的充電網絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
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在國內新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關板塊，引發A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據著重要位置，相關概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅”。如今，特斯拉對碳化硅的態度出現180度大反轉，背后的真實意圖是什么？將會對國內新能
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簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態和動態特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態電流
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據外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據報道涉及供應數量達數百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan
von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商。“在
意法半導體，我們現在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統方面的經驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數量生產模塊。”意法半導體汽車和分立
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據外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
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近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業，創立于2021年5月，專注于以創新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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4月7日，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。 汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會 有行業專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經記者
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【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
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2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優化，可為能源基礎設施和工業驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發揮發展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業對功率半導體需求的增加
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碳化硅（sic）介紹
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