第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢研究統計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。△Source：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關企業宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領先企業。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
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SiC 融資
在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經從一個研究課題演變成一個重要的商業化產品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅動系統中采用，但現在，越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動力一直是降低損耗
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英飛凌 SiC
據報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發了采
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SiC MOSFET
根據市調統計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業者合作案明朗化，將推動2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰略協議，另外該系列產品亦被起亞
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SiC
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發展著，而“圍墻”之外的企業亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發布了《發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業務。2023年3月2
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第三代半導體 收購 SiC GaN
前 言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產業的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術發展速度卓越，無論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發
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SiC 新能源汽車 汽車電子
隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發生變化，GaN 被認為會產生后續替代效應。據業內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發電場和大型三相電網
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GaN SiC
一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團（BMW）簽署長期供貨協議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動動力傳動系統。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰略合作針對電動動力傳動系統的開發和整合，使安森美能為特定應用提供差異化的芯片方案，包括優化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優化的電氣和機械特性實現高效率和更低的整體損耗，同時提供極高的系
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安森美 碳化硅 寶馬集團 電動汽車
3 月 3 日消息，美國電動汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動上表示，計劃減少下一代電動汽車動力系統中碳化硅晶體管的使用量，當地時間周四相關芯片制造商的股價紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動討論的一個主要內容是效率提升和成本控制。特斯拉動力系統工程負責人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉化效率的同時降低汽車動力系統的成本。坎貝爾透露，“在我們的下一代動力系統中，作為關鍵部件的碳化硅晶體管價格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車性能或效率的情況下
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當您設計新電力電子產品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統、儲能系統、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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安森美 SiC
在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會發生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
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安森美 碳化硅
日前，英飛凌科技繼續擴大了與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC材料，協議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
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英飛凌 碳化硅
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
與硅技術相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統效率
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英飛凌 SiC 逆變器
碳化硅（sic）介紹
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