碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

碳化硅功率器件的應(yīng)用機(jī)會(huì)及未來(lái)

碳化硅功率器件的未來(lái)趨勢(shì)是朝著尺寸縮小的方向發(fā)展。
關(guān)鍵字：碳化硅功率器件第三代半導(dǎo)體

賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開(kāi)展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)?wèi)c祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開(kāi)展總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體隔離式降壓轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行，同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會(huì)非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便在不對(duì)工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻，并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，或許還
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基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

4月24日，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導(dǎo)體打造國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國(guó)家工信部的產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設(shè)備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過(guò)打造垂直整合制造模式，加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí) 碳化硅

德國(guó)博世收購(gòu)美國(guó)TSI，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域再添并購(gòu)案

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，德國(guó)博世集團(tuán)于本周三表示，將收購(gòu)美國(guó)芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的資產(chǎn)，以擴(kuò)大其碳化硅芯片（SiC）的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，但并未透露此次收購(gòu)的具體細(xì)節(jié)，且這項(xiàng)收購(gòu)還需要得到監(jiān)管部門(mén)的批準(zhǔn)。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應(yīng)用。而博世在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過(guò)60年，在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國(guó)羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認(rèn)為，此次收購(gòu)
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商合作開(kāi)發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國(guó)產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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功率半導(dǎo)體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開(kāi)始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報(bào)道，東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設(shè)備+外
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 IGBT MOSFET SIC

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng) 安森美

SiC并購(gòu)戰(zhàn)：誰(shuí)是頂級(jí)收購(gòu)者？

第三代半導(dǎo)體「愈演愈烈」。
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三次油電平價(jià) 促成中國(guó)電動(dòng)市場(chǎng)的大爆發(fā)

大家應(yīng)該還記得，當(dāng)遭受國(guó)補(bǔ)退坡重創(chuàng)的電動(dòng)汽車于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元?dú)猓_(kāi)始走出國(guó)補(bǔ)退坡的陰影時(shí)，市面上開(kāi)始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動(dòng)汽車，當(dāng)時(shí)的電動(dòng)車市場(chǎng)呈現(xiàn)出來(lái)的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu)：便宜的A00級(jí)車型和30萬(wàn)以上的高端車型（包括部分B級(jí)車和C級(jí)車）賣得很好，但在10-30萬(wàn)的主流區(qū)間，電動(dòng)車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場(chǎng)格局在2016-2021國(guó)內(nèi)乘用車分級(jí)別電動(dòng)化率走勢(shì)圖上一展無(wú)遺，歷時(shí)五年的時(shí)間，A00車已經(jīng)達(dá)到了90%以上的滲透率。這兩年來(lái)，市場(chǎng)格局風(fēng)云變幻，正如歐
關(guān)鍵字：碳化硅比亞迪蔚來(lái) 電動(dòng)汽車新能源汽車

特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進(jìn)

被稱為“未來(lái)十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來(lái)使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì)，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)主要包括面向B/B+級(jí)純電、B/B+級(jí)增程混動(dòng)，以及A級(jí)純電車型動(dòng)力總成解決方案，目標(biāo)是不斷提升整車度電里程和升油里程
關(guān)鍵字：特斯拉碳化硅

特斯拉降低造車成本，國(guó)內(nèi)新能源車企如何實(shí)現(xiàn)“價(jià)格戰(zhàn)”突圍？

在國(guó)內(nèi)新能源車市場(chǎng)，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚(yú)”，一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日，“鯰魚(yú)”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開(kāi)了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺(tái)將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關(guān)概念在資本市場(chǎng)上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車的“先驅(qū)”。如今，特斯拉對(duì)碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn)，背后的真實(shí)意圖是什么？將會(huì)對(duì)國(guó)內(nèi)新能
關(guān)鍵字：特斯拉碳化硅新能源車企

適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計(jì)入門(mén)

簡(jiǎn)介在這篇文章中，作者分析了運(yùn)輸輔助動(dòng)力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對(duì)于任何電力電子工程師來(lái)說(shuō)，必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無(wú)窮大，導(dǎo)通時(shí)的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來(lái)看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
關(guān)鍵字： SiC Microchip