Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基勢壘二極管 SBD
碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質因數的元胞優化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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SiC MOSFET
●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯合研發中心，旨在進一步提升在全球碳化硅系統和器件創新領域的領先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設。全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術公司采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關系。這其中包括建立一座聯合創新實驗室，共同推動碳化硅系統和器件技術在出行、工業和能源應用領域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
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Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導體工廠，采用創新性制造工藝來生產下一代碳化硅器件。·??????? 擴展至歐洲的碳化硅器件制造布局，將支持不斷加速中的客戶需求，同時也將支持公司在 2027 財年達成 40 億美元的長期營收展望。·??????? 將成為公司先前宣布的 6
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Wolfspeed 碳化硅 制造工廠
去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產應用，這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車，可提高續航里程，對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸，乃至整個新能源汽車行業都有重要意義。目前，業內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發展狀況如何？國內外發展寬禁帶半導體有哪些區別？未來發展面臨著哪些挑戰？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰略協議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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安森美 大眾汽車集團 電動汽車 碳化硅 SiC
意法半導體（ST）是一家擁有非常廣泛產品組合的半導體公司，尤其汽車更是ST非常重視的市場之一。 意法半導體車用和離散組件產品部策略業務開發負責人Luca SARICA指出，2022年車用和離散組件產品部（ADG）占了ST總營收的30%以上。ST在2021年的營收達到43.5億美元，而若與2022年相比，車用產品部門與功率和離散組件部門的營收增幅都相當顯著，達30%以上。車用和離散組件產品部擁有意法半導體大部分的車用產品，非常全面性的產品組合能夠支持汽車的所有應用。 圖一 : ADG營運策略ADG
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汽車 ST 碳化硅
英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議，以補充并擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體。 英飛凌工業電源控制事業部總裁 Peter WawerResonac將先供應6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關于 SiC 材料技術的智財 (IP)。雙
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英飛凌 Resonac 碳化硅
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制
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Arrow 碳化硅 MOSFET
2023年1月4日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業碳化硅方案領域的領導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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安森美 EliteSiC 碳化硅
電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子電路不斷發展以實現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
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國晶微半導體 SIC
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
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羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高，更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用，預計在動力、續航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
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SiC 碳化硅功率模塊 起亞 EV6 意法半導體 ACEPACK DRIVE
安森美在過去的兩年間通過成功的轉型之旅，實現了業績和利潤的雙豐收。在轉型路上公司又有哪些關鍵技術和策略的調整呢？帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術支柱的創新支持和打造可持續發展的生態系統，這是驅動安森美投資的主要動力，也是企業職責所在。
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202212 安森美 碳化硅
碳化硅（sic）介紹
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