中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統
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泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發展，將推動整個亞太地區的電動汽車市場實現穩步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區電動汽車市場的快速增長。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動汽車市場規模將從 2
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車用 電能轉換 車電領域 IGBT SiC 功率模塊
近日，中國電科55所牽頭研發的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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中國電科 55所 碳化硅 MOSFET
“引言”近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如，多
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增強互連封裝技術 SiC MOSFET單管 焊機
近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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碳化硅 瑞薩 X-FAB
近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發揮出了其高效率高功率密度的優點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問題，作為功率半導體的領頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協議推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
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英飛凌 碳化硅
IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現有工廠，目標在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠，其中韓國工廠已經在生產 SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠，安森美半導體計劃構建完整產業鏈，實現從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷售
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汽車電子 安森美 SiC
2023 年 SiC 襯底市場將持續強勁增長。
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SiC
2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學與智能電源和智能感知技術的領先企業安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項總額達 800 萬美元的戰略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學材料研究所 (MRI) 開設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學領導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開展總額達 800 萬美元的戰略合作，其中包
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安森美 碳化硅
2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發 L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優勢，因為使用更高的電壓意味著系統可以在更低的電流下運行，同時實現相同的功率輸出。較低電流的優點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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安森美 IGBT SiC
碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
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英飛凌 SiC MOSFET
4月24日，基本半導體車規級碳化硅芯片產線通線儀式在深圳市光明區舉行。此次車規級碳化硅芯片產線的成功通線，是基本半導體打造國產碳化硅功率器件IDM領先企業的一大重要戰略布局。據官微介紹，基本半導體車規級碳化硅芯片產線項目獲得國家工信部的產業專項支持，并連續兩年入選深圳市年度重大項目，廠區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業設備，主要產品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
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基本半導體 車規級 碳化硅
據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業務。目前，博世和TSI公司已經達成協議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發和生產200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業的應用。而博世在半導體領域的生產時間已超過60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
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碳化硅（sic）介紹
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