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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

        碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術社區(qū)

        深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

        • 11月27日, 由中國科學技術協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦,由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務中心、深圳市科學技術協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上,來自國內(nèi)及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導體企業(yè)及投資機構等泛第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會,共同探討中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應用現(xiàn)況及未來趨勢,并就如何深化“碳中和”目標
        • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  

        2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

        • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下,第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度,有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱,引領新一輪產(chǎn)業(yè)革命。“創(chuàng)新為基,創(chuàng)芯為本”,11月27日,2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善,產(chǎn)品競爭力再度提升,將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展,受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
        • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  MOSFET  

        Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

        • 基礎半導體元器件領域的專家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管,正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措,旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件,重復反向峰值電壓為650V(VRRM),持續(xù)正向電流為10A(IF),旨在為功率轉換應用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝,使該系列
        • 關鍵字: Nexperia  碳化硅  SiC  二極管  

        Qorvo?收購領先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司

        • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo?,Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今天宣布,已收購位于新澤西州普林斯頓領先碳化硅(SiC)功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車(EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品(IDP)業(yè)務之一,將由Chris Dries博士領導,他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官,現(xiàn)任Qorv
        • 關鍵字: SiC  電源  

        恩智浦利用信號質(zhì)量提升技術解決CAN FD帶寬限制難題

        • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布其CAN信號質(zhì)量提升(SIC)技術已用于TJA146x收發(fā)器系列中,并已經(jīng)成功應用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術有效提升了CAN信號質(zhì)量,使CAN FD網(wǎng)絡能夠在更大型復雜網(wǎng)絡中運行,實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項經(jīng)濟高效的技術能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性,從而應對下一代汽車的網(wǎng)絡挑戰(zhàn)。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術的汽車客戶。●? ?長安汽車成為第一家采
        • 關鍵字: OEM  SiC  

        碳化硅在新能源汽車中的應用現(xiàn)狀與導入路徑

        • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點,可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢,引領和加速了汽車電動化進程,對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關鍵階段,汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術創(chuàng)新,為碳化硅產(chǎn)品的技術驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
        • 關鍵字: 碳化硅  新能源汽車  功率半導體  202110  MOSFET  SiC  

        碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來?

        • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認,第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

        Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

        • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標,基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合,Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器,為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護,以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器,可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說,Microchip的Agi
        • 關鍵字: Microchip  碳化硅  MOSFET  

        圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

        • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC) 級可用于滿足嚴格的效率標準,但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的,而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅(SiC)器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
        • 關鍵字: 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復  電荷  效率  損耗  輸出電容  

        意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

        • 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起,碳化硅(SiC)功率半導體市場需求激增,吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)的關注,國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap,Eg)的半導體;再者,碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field,Ec),因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料,因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
        • 關鍵字: 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

        羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案

        • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展。縮短充電時間的高輸出挑戰(zhàn)對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關鍵的支撐技術。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
        • 關鍵字: 充電樁  碳化硅  

        意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

        • 意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圓,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功,其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術領域的領導地位,且提升了功率電子芯片的輕量化和效能,降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良,對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
        • 關鍵字: 意法半導體  碳化硅  

        鄭有炓院士:第三代半導體迎來新發(fā)展機遇

        • 半導體材料是信息技術的核心基礎材料,一代材料、一代技術、一代產(chǎn)業(yè),半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化,推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動了半導體材料與技術的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料,它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
        • 關鍵字: 第三代半導體  SiC  

        汽車電氣化的部分關鍵技術及ST的解決方案

        • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關的應用是減少交通碳排放影響的關鍵因素。中國領導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰,2060 年實現(xiàn)碳中和的目標。為了實現(xiàn)碳中和,減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種,用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%,而公路運輸占其中的74%,主要來自燃油車的排放。因此,發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
        • 關鍵字: 202108  SiC  BMS  

        清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

        • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車,由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放,其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的,隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡,使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊
        • 關鍵字: 202108  SiC  汽車  OBC  
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        碳化硅(sic)介紹

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