三菱電機將與安世攜手開發SiC功率半導體

11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。

目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。

公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。

盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合起來”的功率半導體為中心，提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業界享有盛譽；而安世半導體在元器件開發、生產和認證方面擁有數十年的豐富經驗，現在同時提供高質量的寬禁帶器件。

安世半導體雙極性分立器件業務部資深副總裁兼總經理Mark Roeloffzen表示：“與三菱電機建立共贏的戰略合作伙伴關系，標志著Nexperia在碳化硅技術領域取得了重大進展。與Nexperia的分立產品和封裝技術的高質量標準和專業知識相輔相成，必將在兩家公司之間產生積極的協同效應，最終幫助客戶在其服務的工業、汽車以及消費市場提供高能效產品?！?/p>

三菱電機半導體與器件部執行官兼集團總裁Masayoshi Takemi博士表示：“Nexperia是業界領軍企業，在高品質分立半導體領域擁有成熟的技術。我們很高興與其達成聯手開發合作協議，從而充分利用兩家公司的半導體技術?！?/p>