泛林集團近日宣布,公司已獲得由定義和推進商業道德實踐標準的全球領導者 Ethisphere 授予的 2025 年“全球最具商業道德企業 (World’s Most Ethical Companies?)”稱號,是今年的上榜企業中唯一一家晶圓制造設備供應商。泛林集團首席合規官 Pearl Del Rosario 表示:“我們很自豪能夠連續第三年被 Ethisphere 評為 ‘全球最具商業道德企業’ 之一,這證明了泛林集團以正確的方式展開業務的持續努力。我們對于誠信、正直、尊重和透明度的關注,已深深植根于我
關鍵字:
泛林 Ethisphere 商業道德
根據CINNOResearch最新發布的全球半導體設備行業研究報告顯示,2024年全球半導體設備商半導體營收業務Top10營收合計超1100億美元,同比增長約10%。2024年全球半導體設備廠商市場規模Top10與2023年的Top10設備商相同,榜單前五名連續兩年保持穩定:荷蘭公司ASML全年營收超300億美元,排名首位;美國公司應用材料(AMAT)2024年營收約250億美元,排名第二;美國公司泛林(LAM)、日本公司Tokyo Electron(TEL)、美國公司科磊(KLA)分別排名第三、第四和第
關鍵字:
半導體設備 ASML 應用材料 北方華創 中微公司 泛林
●? ?由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問題,半導體行業正在尋找替代銅的金屬線材料。●? ?在較小尺寸中,釕的性能優于銅和鈷,因此是較有潛力的替代材料。隨著互連尺寸縮減,阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此,半導體行業一直在努力尋找可取代傳統銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度,阻擋層尺寸較難縮減(如圖1)。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高,且側壁電子散射較多。因此,相關阻擋層尺寸的增加會導致更為顯著的電阻電容延遲,并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
關鍵字:
工藝建模 后段制程 金屬方案 泛林
泛林集團連續第二年獲此年度殊榮,以表彰其通過完善的道德、合規和治理來恪守商業誠信的承諾。泛林集團近日宣布,公司已被Ethisphere 評為 2024 年“全球最具商業道德企業?”之一,Ethisphere是定義和推進商業道德實踐標準的全球領導者。泛林集團是今年全球榜單中唯一一家晶圓制造設備供應商。泛林集團首席合規官 Pearl Del Rosario表示:“連續第二年被 Ethisphere 評為‘全球最具商業道德企業’之一,我們深感自豪,這反映了泛林集團對商業誠信和透明度的堅定承諾。我們健全的道德與合
關鍵字:
泛林 全球最具商業道德企業
l通過虛擬工藝開發工具加速半導體工藝熱點的識別l這些技術可以節約芯片制造的成本、提升良率設計規則檢查 (DRC) 技術用于芯片設計,可確保以較高的良率制造出所需器件。設計規則通常根據所使用設備和工藝技術的限制和變異性制定。DRC可確保設計符合制造要求,且不會導致芯片故障或DRC違規。常見的DRC規則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規格,以避免在制造過程中出現短路、斷路、材料過量或其他器件故障。 在先進的半導體技術節點,DRC規則的數量增加和復雜性提升,導致傳統的2D DRC無法
關鍵字:
半導體制造 泛林
現代半導體工藝極其復雜,包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時,上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙,造成開發周期延長和成本增加。本文中,我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。在 3D NAND 存儲器件的制造中,有一個關鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次,在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時,每層氮化硅(即將成為字線)的外表變得像
關鍵字:
泛林 SEMulator3D 虛擬工藝
介紹?半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕設備和技術來實現圖形的微縮與先進技術的開發。隨著半導體器件尺寸縮減、工藝復雜程度提升,制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯。刻蝕終點探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材料可供刻蝕。這類終點探測有助于最大限度地減少刻蝕速率波動的影響。刻蝕終點探測需要在刻蝕工藝中進行傳感器和計量學測量。當出現特定的傳感器測量結果或閾值時,可指示刻蝕設備停止刻蝕操作。如果已無材料可供刻蝕,底層材料(甚至整個器件或晶圓)就會遭受損壞,從而極大影響良率[1],因此可靠的終點
關鍵字:
刻蝕終點探測 原位測量 泛林
l 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進,后段模塊處理迎來挑戰l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電阻電容的延遲時間 隨著器件微縮至3nm及以下節點,后段模塊處理迎來許多新的挑戰,這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節點,最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”,結合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結構的傳統大馬士革。 
關鍵字:
半大馬士革 空氣間隙結構 泛林 imec
●? ?視頻游戲、虛擬現實和增強現實的興起正在推動觸覺技術需求的增長●? ?泛林集團的脈沖激光沉積(PLD)技術可助力下一代觸覺技術試著想象一場沉浸式的虛擬體驗:在探索數字世界的時候,你的觸覺似乎與感受到的景象和聲音一樣真實。盡管一切只存在于網絡空間中,但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺。這種感覺需要觸覺技術的支持,而泛林正在用創新助力這一技術的實現。制造微型觸覺器件需要許多與制造集成電路相同的基礎工藝,包括沉積、刻蝕、清洗等,但不需要制造納米級結構
關鍵字:
泛林 觸覺技術
2023年度?FIRST?Global機器人挑戰賽于10月7-10日在新加坡舉辦。全球將近200個國家或地區的青少年在合作中競爭,在機器人領域展開了一場充滿活力、智慧和創造力的較量。這是該國際機器人賽事第七次舉辦年度競賽。這一令人振奮的賽事為期四天,由一家致力于培養全球年輕人科學領導力和技術創新的非營利組織FIRST?Global發起和組織。全球半導體行業創新晶圓制造設備和服務的供應商泛林集團成為2023年挑戰賽的冠名贊助商。泛林集團首席傳播官兼負責ESG的集團副總裁Stac
關鍵字:
FIRST Global 機器人挑戰賽 STEM人才 泛林
2023?年度?FIRST??Global機器人挑戰賽將在一周后匯聚來自全球各地的數千名青少年展開機器人比拼,并合作尋找可再生能源的解決方案。這一為期四天的賽事由?FIRST?Global?創辦和管理,并得到了冠名贊助商泛林集團的大力支持,旨在鼓勵下一代的創新者。?2023?年度??FIRST??Global機器人挑戰賽將于?2023?年?10&n
關鍵字:
機器人挑戰賽 泛林 STEM 應對氣候變化
在我從事半導體設備的職業生涯之初,晶圓背面是個麻煩問題。當時發生了一件令我記憶深刻的事:在晶圓傳送的過程中,幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后,我們想到,可以在晶圓背面沉積各種薄膜,從而降低其摩擦系數。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個問題,但我們的客戶經理不太高興,因為他們不得不向客戶解釋由此導致的產量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過程不太順利,但當2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發布時,我開始更加關注這個領域。Xilinx的產品是首批采用“堆疊硅互連技術”的異構集成
關鍵字:
晶圓 背面供電 泛林
動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備,如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮,隨著技術在節點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發展,以提高單位面積的存儲單元數量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l 這一趨勢有利于整個行業的發展,因為它能推動存儲器技術的突破,而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
關鍵字:
3D DRAM 泛林
提升集成電路中的介電層性能可以在現在和未來的存儲器和邏輯電路發展中產生巨大的戰略影響。想象一下,在一個擠滿人的大房間里,每個人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂意告訴您他們的信息,但問題是,他們都在同一時間說話。房間里的人越密集,就越難將想要關注的信息與周圍的雜音區分開。 這就是“串擾”,維基百科將其定義為“傳輸系統上一個電路或通道上傳輸的信號在另一個電路或通道中產生不希望出現的影響”。如果您從事存儲器和邏輯器件制造,那么您面臨的情況就很像那個嘈雜的房間,因為在這當中非常鄰近的范圍
關鍵字:
低介電薄膜 泛林 SPARC沉積技術
近期全球最具權威性的科學期刊Nature雜志發表了近150年來最激動人心且極具突破性的研究:《改進半導體工藝開發的人機協作》,該文章由泛林集團九名研究人員合著。此前曾擔任泛林集團首席技術官的Rick Gottscho博士表示:“我們的研究是突破性的,使泛林集團脫穎而出、成為在工藝工程中應用數據科學的領導者。” 刊登在Nature雜志的這篇文章對比了人類工程師與機器以最低目標成本(即最少的實驗次數)開發半導體工藝的情況。為此,研究人員們創建了對比人類和計算機算法表現的比賽,在比賽中雙方需要設計一個
關鍵字:
泛林 虛擬工藝比賽 人類工程師 人工智能
泛林介紹
您好,目前還沒有人創建詞條泛林!
歡迎您創建該詞條,闡述對泛林的理解,并與今后在此搜索泛林的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473