存儲文章進(jìn)入存儲技術(shù)社區(qū)

AI 驅(qū)動企業(yè)級 SSD 價格及需求暴漲，SK 海力士擴產(chǎn)應(yīng)對

IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務(wù)器需求激增影響，企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的價格飆升了 80% 以上。為滿足市場需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫，不僅帶動了高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片需求，如今也正在推動企業(yè)級 SSD 市場快速增長。AI 服務(wù)器存儲的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，企業(yè)紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價確保供應(yīng)。面對企業(yè)級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴大采用四層單元（QLC）技
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SK海力士在FMS 2024上展示下一代存儲技術(shù)

SK海力士在加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉辦的今年未來存儲峰會（FMS，前稱閃存峰會）上，展示了其最新的存儲技術(shù)和AI硬件解決方案。此次展會上，該公司展示了其即將推出的產(chǎn)品，包括12層HBM3E內(nèi)存模塊和預(yù)計在2025年上半年出貨的321層1Tb TLC NAND。SK海力士充分利用這一活動平臺，從主題演講開始，重點介紹了其在AI內(nèi)存解決方案方面的進(jìn)展，例如為設(shè)備端AI計算機設(shè)計的PCB01 SSD產(chǎn)品線。該SSD提供高達(dá)每秒14 GB的讀取和寫入速度，支持運行大型語言模型（LLM）用于AI訓(xùn)練和推理。S
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Microchip推出新一代PCIe Gen 5 SSD控制器，聚焦數(shù)據(jù)中心

Microchip公司近日發(fā)布了其最新的Flashtec NVMe 5016 PCIe Gen 5固態(tài)硬盤（SSD）控制器，專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計，旨在通過提升性能、降低功耗和集成安全特性，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性。隨著人工智能（AI）和云計算服務(wù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對高效能和可靠性的需求日益增加。Microchip數(shù)據(jù)中心解決方案業(yè)務(wù)部副總裁Pete Hazen表示：“數(shù)據(jù)中心技術(shù)必須與AI和機器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的重大進(jìn)展保持同步。我們的第五代Flashtec NVMe控制器旨在引領(lǐng)市場，滿足對高性能、功耗優(yōu)
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研華高效能SSD SQF CU2/EU2 在基因測序中的運用

醫(yī)療科技飛躍，數(shù)據(jù)需求驅(qū)動新高度：高性能與大容量數(shù)據(jù)引領(lǐng)先進(jìn)醫(yī)療應(yīng)用潮流。研華精準(zhǔn)響應(yīng)，推出SQF-EU1 U.3與SQF-EU2 U.2高性能存儲方案，內(nèi)置工業(yè)級散熱技術(shù)，為基因分析、多核細(xì)胞檢測等尖端醫(yī)療應(yīng)用保駕護(hù)航，確保運行穩(wěn)定可靠，加速數(shù)據(jù)處理，讓醫(yī)療科技更上一層樓。項目挑戰(zhàn)近年來，精準(zhǔn)醫(yī)療日益受到重視，基因變異靶向藥物已成為主流治療手段。下一代測序技術(shù)輔助醫(yī)生識別病灶，通過同時檢測多種癌癥基因，大幅提升醫(yī)療效率。這些檢測系統(tǒng)依賴于龐大的醫(yī)學(xué)影像數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)需要實時存儲與處理。研華解決方案研華E
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存儲產(chǎn)品個性化搭配滿足E人I人多元存儲需求

MBTI人格測試熱潮席卷全球，當(dāng)中討論最為熱烈的便是外向型“E（Extroversion）人”和內(nèi)向型“I（Introversion）人”這兩種截然不同的生活態(tài)度。E人性格相對外向，熱衷與他人聚會，從外部獲取動力；I人性格相對內(nèi)斂，喜歡獨處時光，從內(nèi)部獲取能量。炎炎夏日，E人或許已經(jīng)迫不及待地外出奔走，在旅游、登山等戶外活動中享受陽光洗禮。而I人或許會選擇在涼爽的室內(nèi)，沉浸在游戲世界中，度過悠閑自在的夏日時光。不論是E人還是I人，外出旅行記錄還是游戲存檔備份，西部數(shù)據(jù)都擁有豐富的存儲產(chǎn)品可以提供安全高效的
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半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)開啟“狂飆”模式？

經(jīng)歷較長時間的行業(yè)下行周期后，2023年第四季度以來，存儲產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了較為明顯的回暖跡象。與此同時，隨著AI人工智能浪潮的推動，加上數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用對高端存儲需求的持續(xù)增加，全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇態(tài)勢愈發(fā)強烈。而近日，從SK海力士、鎧俠、三星、美光等廠商釋放的信號來看，存儲產(chǎn)業(yè)邁入上行周期的確定性進(jìn)一步提升。SK海力士12層HBM3E即將量產(chǎn)，HBM工廠迎利好近期，SK海力士無論是在技術(shù)研發(fā)還是建廠投資方面，都釋出了利好消息。技術(shù)研發(fā)方面，眾所周知，受益于人工智能熱潮推動，SK海力士在AI存儲器市場掌握著主導(dǎo)地位
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC 都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋一、ROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。二、RAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可
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HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營收前四

IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設(shè)備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計價格會有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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存儲亮劍！NAND技術(shù)多點突破

人工智能（AI）市場持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會現(xiàn)場，NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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西部數(shù)據(jù) 2024 財年總收入 130 億美元，同比增加 6%，營業(yè)虧損收窄 98%

IT之家 8 月 1 日消息，西部數(shù)據(jù)當(dāng)?shù)貢r間 7 月 31 日公布了截至 6 月 28 日的 2024 財年第四財季和 2024 財年全年的財務(wù)業(yè)績。財報顯示，西部數(shù)據(jù)在 2024 財年累計實現(xiàn) 130.03 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 939.39 億元人民幣）收入，較 2023 財年增長 6%。按 GAAP 計算，西部數(shù)據(jù)在上一財政年度實現(xiàn) 22.6% 毛利率，同比提升了 7.3 個基點；西部數(shù)據(jù)上一財年出現(xiàn)了 2600 萬美元的營運虧損，同比收窄 98%。▲ 全財年財務(wù)情況從
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SAS 存儲不會消亡，新一代 24G+ SAS 標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

7 月 25 日消息，盡管固態(tài)硬盤正逐漸轉(zhuǎn)向采用 NVMe 協(xié)議的 PCIe 物理接口，但許多應(yīng)用仍依賴于 SCSI (SAS) 技術(shù)。當(dāng)?shù)貢r間周三，SNIA SCSI 貿(mào)易協(xié)會論壇 (STA) 和 INCITS / SCSI 標(biāo)準(zhǔn)組織推出了專門針對下一代超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心 HDD 和 SSD 的 24G+ SAS 規(guī)范，表明 SAS 仍會繼續(xù)發(fā)展下去。SAS 速度規(guī)范于 2020 年升級至 2.4 GB/s，配備該接口的產(chǎn)品目前已上市，而新的 24G+ 標(biāo)準(zhǔn)仍維持這一速度不變，但增加了五項新功能，旨在增強
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DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關(guān)系

全面現(xiàn)貨供應(yīng)、提供快速交付的全球電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商DigiKey今天宣布與Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產(chǎn)品制造商之一，Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作，提供
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存儲大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲廠商們準(zhǔn)備好了嗎？

在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個版本：HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高的帶寬、
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存儲介紹

存儲　　cún chǔ 　?。ù娲鎯Γ?　　1.把錢或物等積存起來?！肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?，應(yīng)行存儲款項?！薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用?！?　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]