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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲

        CFMS2024:江波龍解碼如何打破存儲模組廠的經營魔咒

        • 備受矚目的2024中國閃存市場峰會(簡稱“CFMS2024”)將于3月20日在深圳盛大開幕。本屆峰會以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題,旨在探討存儲行業(yè)在新市場形勢下的機遇與挑戰(zhàn),匯聚全球存儲產業(yè)鏈及終端應用企業(yè)的智慧與力量,共謀行業(yè)發(fā)展。 作為本次大會的重要參展企業(yè)之一,江波龍董事長、總經理蔡華波將發(fā)表題為《突破存儲模組經營魔咒》的演講,深入探討存儲模組領域的經營挑戰(zhàn)與突破之道,分享江波龍的創(chuàng)新與發(fā)展動向。值得一提的是,江波龍在今年1月份公告中披露,2023年預估營業(yè)收入同比增長約20%~26%,
        • 關鍵字: 江波龍  存儲  元器件  

        存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝

        • SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長認為,半導體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設計和制造,但是,下一個 50 年,一切將圍繞芯片封裝展開。據彭博社報道,SK海力士(SK Hynix)今年將在韓國投資超過10億美元,用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟,即先進封裝。前三星電子工程師、現任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示,推進封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關鍵所在,也是SK海力士鞏固HBM市場領先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產SK海力士在最近的財報中表示,
        • 關鍵字: 存儲  HBM  先進封裝  

        HBM:屬于大廠的游戲,而非全部存儲廠商的狂歡?

        • 近期,存儲廠商南亞科總經理李培瑛對外表示,HBM目前產品溢價較高,確實會對存儲器廠商營收有所貢獻,但其占全球DRAM位元數僅約2%。因此,以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言,現階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮,HBM技術也從幕后走向臺前,并成為推動存儲器產業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過,HBM技術含量高、在DRAM占比小,因此決定了該技術是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”,而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今,存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響,并瞄準了最新的HBM3E技術
        • 關鍵字: HBM  存儲  

        2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產值環(huán)比增長 24.5%:三星增長 44.8% 居首位

        • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元,環(huán)比增長 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續(xù)保持上漲,預估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星(Samsung)增長幅度最高,主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%,平均銷售價格環(huán)比增加 12%,帶動營收上升至 42 億美元,環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團(SK Group)受惠于價
        • 關鍵字: NAND 閃存  存儲  市場分析  

        戴爾2024財年營收884億美元,AI服務器訂單激增40%

        • 戴爾公布了2024財年第四財季及全年業(yè)績報告,第四財季營收為223億美元,全年營收為884億美元。并且透露在AI服務器領域實現了顯著增長,計劃在5月的戴爾科技世界大會上推出一系列新的AI產品和解決方案。在AI服務器領域,戴爾表示經過AI優(yōu)化的產品訂單環(huán)比增長了40%,實現8億美元的銷售額,積壓訂單翻倍至29億美元。盡管供應仍面臨挑戰(zhàn),但H100交付周期有所改善,客戶對H200和MI300X產品表現出濃厚興趣。傳統(tǒng)服務器業(yè)務方面,報告稱Q4業(yè)務同比增長,連續(xù)三個季度實現環(huán)比增長,結束了歷史上最長的消化期。戴
        • 關鍵字: 戴爾  AI  服務器  存儲  

        又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

        • 韓國媒體 TheElec報道,三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充(MUF)技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術,與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉,MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔,然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后,注入到半導體之間的材料,它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論,MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM),但非常適合 3DS RDIMM,而目前 3DS RD
        • 關鍵字: 存儲  DRAM  MUF技術  

        美光開始量產行業(yè)領先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

        • 全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存,并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)領先地位,并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能(AI)解決方案賦能。HBM3E:推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增,內存解決方案對于滿足工作負載需求
        • 關鍵字: 美光  存儲  內存  

        春日有禮,西部數據和“她”一起開啟存儲煥新計劃

        • 每一個女孩都是獨特而美麗的存在,享受生活的同時不忘記錄那些難忘的瞬間。3.8春季大促,西部數據帶來了令人怦然心動的存儲購物清單,助力每一位“她”記錄生活亮點,高效應對職場與學習。還不快拿上小本本,選擇適合自己的存儲好物!廣闊世界“她”記錄自媒體盛行的時代下,女性憑借在內容創(chuàng)作領域獨特的天賦與細膩,盡情展現著自由且多元的力量。西部數據的WD Blue? SN580 NVMe? SSD順序讀取速度高達4,150 MB/s[i] (1TB和2TB型號[ii]),提供高達2TBii容量規(guī)格,同時搭載的nCache
        • 關鍵字: 西部數據  存儲  

        美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品

        • 2月28日,存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品,采用232層3D NAND技術,可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后,美光進一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實現更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上,美光UFS4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達4300MBps和4000MBps,較前代產品相比性能提升一倍,據悉,生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
        • 關鍵字: 美光  UFS  存儲  

        美光高性能內存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗

        • 2024 年 3 月 1 日,中國上海 —— Micron Technology,Inc. (美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數的大語言模型(LLM)——“魔法大模型”(MagicLM),開創(chuàng)了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心,在美光內存和存儲的加持下,實現了升級版預測性和
        • 關鍵字: 美光  內存  存儲  榮耀  Magic6 Pro  智能手機  LPDDR5X  UFS 4.0  

        美光發(fā)布最小尺寸 UFS 4.0 手機存儲芯片:容量最高 1TB,為電池留出空間

        • IT之家 2 月 27 日消息,美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機存儲解決方案。該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝,尺寸僅為 9 x 13 毫米,仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序寫入速度。美光表示,推出較小解決方案的主要原因是智能手機原始設備制造商的反饋。制造商們希望為更大的電池留出更多手機內部空間。美光在其位于美國、中國和韓國的聯合客戶實驗室開發(fā)了該產品,并基于其 232 層
        • 關鍵字: 美光  MWC 2024  存儲  手機  

        兩家存儲大廠:今年HBM售罄

        • 近期,SK海力士副社長Kim Ki-tae表示,今年公司的HBM已經售罄,已開始為2025年做準備。稍早之前,美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露,美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展,推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存(HBM)的旺盛需求,存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中,三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示,已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品,并計劃在今年上半年開始量產。到下半年,其占比預計將
        • 關鍵字: 存儲  HBM  SK海力士  美光科技  

        江波龍車規(guī)級存儲解決方案

        • 江波龍電子在設計、資源、測試、驗證全方位布局以保證汽車存儲產品在高低溫變化、復雜電磁環(huán)境、物理沖擊、振動等嚴苛環(huán)境下始終可靠穩(wěn)定運行。SPI NAND Flash該存儲采用WSON8封裝,可節(jié)約PCB空間,除此之外,其優(yōu)勢還有支持通用SPI接口,包括雙I/O或四I/O,帶有內部ECC,使其在滿足數據傳輸效率的同時,保證數據可靠性,并支持OTP,為客戶提供更多存儲安全信息的區(qū)域。該產品閃存介質為SLC NAND,容量從512MB到4GB,工作溫度最大范圍為-40~85℃。該產品的應用范圍較廣,可在Wifi
        • 關鍵字: 江波龍  存儲  

        千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

        • 從目前公開的DRAM(內存)技術來看,業(yè)界認為,3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一,是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內存)單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成,其中,晶體管負責傳輸電流,使信息(位)能夠被寫入或讀取,電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
        • 關鍵字: 3D DRAM  存儲  

        江波龍企業(yè)級存儲正式量產一周年,交出亮眼“成績單”

        • 自2023年1月江波龍首次發(fā)布企業(yè)級存儲產品FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD以來,企業(yè)級存儲產品于過去的一年中,在技術研發(fā)和市場應用中取得了顯著成果。拓疆企業(yè)級存儲 屢獲市場認可江波龍企業(yè)級存儲產品憑借其卓越的技術實力和性能表現,為企業(yè)級存儲市場注入新鮮活力。截至2024年2月,FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD兩大產品已順利完成鯤鵬
        • 關鍵字: 江波龍  存儲  元器件  
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        存儲介紹

        存儲   cún chǔ   (存存儲儲)   1.把錢或物等積存起來。《清會典事例·戶部·庫藏》:“戶部奏部庫空虛,應行存儲款項。”《清會典·戶部倉場衙門·侍郎職掌》:“每年新漕進倉,倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲,將某倉存儲某年米色數目,造冊先期咨部存案。” 魯迅 《書信集·致李小峰》:“《舊時代之死》之作者之家族,現頗窘,幾個友人為之集款存儲,作孩子讀書之用。”   2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細 ]
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