全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續保持行業領先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續激增，內存解決方案對于滿足工作負載需求
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每一個女孩都是獨特而美麗的存在，享受生活的同時不忘記錄那些難忘的瞬間。3.8春季大促，西部數據帶來了令人怦然心動的存儲購物清單，助力每一位“她”記錄生活亮點，高效應對職場與學習。還不快拿上小本本，選擇適合自己的存儲好物！廣闊世界“她”記錄自媒體盛行的時代下，女性憑借在內容創作領域獨特的天賦與細膩，盡情展現著自由且多元的力量。西部數據的WD Blue? SN580 NVMe? SSD順序讀取速度高達4,150 MB/s[i] （1TB和2TB型號[ii]），提供高達2TBii容量規格，同時搭載的nCache
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2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規格的UFS4.0解決方案后，美光進一步縮小UFS4.0的外形規格以實現更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達4300MBps和4000MBps，較前代產品相比性能提升一倍，據悉，生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
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2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內存和存儲的加持下，實現了升級版預測性和
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IT之家 2 月 27 日消息，美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機存儲解決方案。該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序寫入速度。美光表示，推出較小解決方案的主要原因是智能手機原始設備制造商的反饋。制造商們希望為更大的電池留出更多手機內部空間。美光在其位于美國、中國和韓國的聯合客戶實驗室開發了該產品，并基于其 232 層
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近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
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江波龍電子在設計、資源、測試、驗證全方位布局以保證汽車存儲產品在高低溫變化、復雜電磁環境、物理沖擊、振動等嚴苛環境下始終可靠穩定運行。SPI NAND Flash該存儲采用WSON8封裝，可節約PCB空間，除此之外，其優勢還有支持通用SPI接口，包括雙I/O或四I/O，帶有內部ECC，使其在滿足數據傳輸效率的同時，保證數據可靠性，并支持OTP，為客戶提供更多存儲安全信息的區域。該產品閃存介質為SLC NAND，容量從512MB到4GB，工作溫度最大范圍為-40~85℃。該產品的應用范圍較廣，可在Wifi
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從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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自2023年1月江波龍首次發布企業級存儲產品FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD以來，企業級存儲產品于過去的一年中，在技術研發和市場應用中取得了顯著成果。拓疆企業級存儲 屢獲市場認可江波龍企業級存儲產品憑借其卓越的技術實力和性能表現，為企業級存儲市場注入新鮮活力。截至2024年2月，FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD兩大產品已順利完成鯤鵬
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江波龍研發布局突破藩籬進入到集成電路設計領域，產品及服務獲得客戶高度認可。繼自研SLC NAND Flash系列產品實現規模化量產后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上，為公司存儲產品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導體存儲品牌企業的定位和布局上持續深耕，不斷提升核心競爭力。 越
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2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
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近日，CES2024以其獨特的視角和前瞻性的技術，吸引了全球的目光。作為全球最大的消費電子展，CES一直是各大科技公司展示最新技術和產品的舞臺。作為國內知名的半導體存儲品牌企業，江波龍在CES期間展示了其最新的存儲技術和產品。在本次CES展會期間，江波龍展出了其最新的嵌入式存儲、固態硬盤（SSD）、內存條以及存儲卡等產品。這些產品采用了先進的制程和存儲技術，具備更高的容量、更快的讀寫速度以及更可靠的數據保護等特點，得到了現場觀眾和媒體的一致好評。 （圖：FORESEE產品全家福）以ChatGPT
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RAID（Redundant Array of Independent Disks）是將多塊物理硬盤通過RAID控制卡組合成虛擬的單塊大容量硬盤使用，從而提供比單個硬盤更高的存儲性能、更高的I/O性能及可靠性。1 硬盤組和虛擬磁盤由于現代數據中心業務量的與日俱增，單臺服務器上需要運行的數據也日益增多。當單個物理硬盤在容量和安全性上不足以支持系統業務時，就需要將多個硬盤以某種特定方式組合起來，對外作為一個可見的硬盤來使用，才可滿足實際需要。硬盤組，就是將一組物理硬盤組合起來，作為一個整體對外體現，是虛擬磁盤
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2022年ChatGPT的出現，掀起了全球再一次的AI應用熱潮，憑借強大的功能和杰出的用戶體驗，生成式AI（AIGC）成為2022年開始最引人關注的技術新浪潮。生成式AI使用深度學習模型，利用現有文本、圖像、音頻等內容生成全新內容、解決方案或新概念的人工智能技術，可以通過學習輸入數據的統計規律，來創造新的數據，因此它可以形成創造性的表達，極大地拓展了人工智能在各個領域的應用前景。并且可以通過AI大模型的經驗分析，以極有想象力的方式生成眾多滿足用戶創意需求的原創內容，并通過包括文本、圖像、音頻、視頻甚至各類
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IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
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存儲介紹
存儲
cún chǔ （存存儲儲） 1.把錢或物等積存起來。《清會典事例·戶部·庫藏》：“戶部奏部庫空虛，應行存儲款項。”《清會典·戶部倉場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數目，造冊先期咨部存案。” 魯迅 《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用。” 2.指積存的錢或物等 [
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