SK海力士在FMS 2024上展示下一代存儲技術

SK海力士在加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉辦的今年未來存儲峰會（FMS，前稱閃存峰會）上，展示了其最新的存儲技術和AI硬件解決方案。此次展會上，該公司展示了其即將推出的產品，包括12層HBM3E內存模塊和預計在2025年上半年出貨的321層1Tb TLC NAND。

SK海力士充分利用這一活動平臺，從主題演講開始，重點介紹了其在AI內存解決方案方面的進展，例如為設備端AI計算機設計的PCB01 SSD產品線。該SSD提供高達每秒14 GB的讀取和寫入速度，支持運行大型語言模型（LLM）用于AI訓練和推理。

SK海力士HBM工藝整合負責人權汝河（Unoh Kwon）和SSD PMO負責人金春成（Chunsung Kim）在主題演講中討論了“AI內存與存儲解決方案的領導力與AI時代愿景”。兩位高管介紹了公司的DRAM和NAND產品組合，以及優化AI應用的內存解決方案。

隨著對AI解決方案需求的增加，SK海力士最近獲得了美國商務部的初步條款備忘錄，預計將獲得高達4.5億美元的直接資金支持。此外，額外的高達5億美元貸款將用于支持高帶寬內存（HBM）的生產以及AI供應鏈安全的先進封裝研發。

SK海力士已將自己定位為NAND閃存和DRAM的領先供應商。其在NAND和HBM方面的創新將有助于推動下一代AI硬件的創建。AI工作負載非常依賴內存，這使得內存的進步成為推動AI硬件發展的基石。

SK海力士AI基礎設施負責人兼總裁Justin Kim表示：“隨著AI時代的全面到來，內存解決方案的重要性日益凸顯，這不僅是單一的DRAM和NAND產品，而是多產品組合以提高性能的解決方案。在FMS上，我們將展示我們的競爭力和技術領導地位，鞏固我們在全球市場的地位。”