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        存儲(chǔ) 文章 最新資訊

        西部數(shù)據(jù)實(shí)用貼心好禮 滿足父親全面存儲(chǔ)需求

        • 父親節(jié)即將到來(lái),對(duì)于辛勞付出的父親,除了與他共享一頓豐盛大餐外,也可考慮送上電子產(chǎn)品,為他的日常生活帶來(lái)無(wú)盡便利,貼心實(shí)用。如果父親是不折不扣的忠實(shí)游戲玩家,WD_BLACK系列的高性能移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)WD_BLACK? P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)定可助父親一臂之力,輕松馳騁游戲世界。WD_BLACK? P40游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)WD_BLACK P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)適用于存儲(chǔ)PlayStation? 5及Xbox? Series X|S游戲,兼容Windows以及macOS系統(tǒng),并兼容iPhone 15系列智
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        西部數(shù)據(jù)發(fā)布全新人工智能數(shù)據(jù)周期存儲(chǔ)框架,助力用戶發(fā)掘人工智能價(jià)值

        • 西部數(shù)據(jù)公司于近日正式發(fā)布了人工智能數(shù)據(jù)周期(AI Data Cycle)框架,助力推動(dòng)下一代人工智能革新。該框架共分為六個(gè)階段,詳細(xì)闡明了如何通過(guò)優(yōu)化存儲(chǔ)組合來(lái)應(yīng)對(duì)大規(guī)模人工智能運(yùn)算負(fù)載。該框架旨在為用戶搭建先進(jìn)的存儲(chǔ)基礎(chǔ)架構(gòu)提供指導(dǎo),幫助提高人工智能工作流的效率并降低總體擁有成本(Total Cost of Ownership,TCO),進(jìn)一步優(yōu)化人工智能領(lǐng)域的投資效益。人工智能模型運(yùn)行時(shí)會(huì)持續(xù)不斷地使用和生成數(shù)據(jù)——在處理文本、圖像、音頻、視頻以及其他形式數(shù)據(jù)的同時(shí),生成全新的數(shù)據(jù)。隨著人工智能技術(shù)
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        DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線

        • 據(jù)JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì))消息,DDR6(包括LPDDR6)已明確會(huì)以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz,可提高至17.6GHz,理論最高可以推進(jìn)至21GHz,遠(yuǎn)超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存,也就是適用于臺(tái)式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計(jì),將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿,1.0正式版最快也要到明年二季度,具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來(lái)看,該內(nèi)存產(chǎn)
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        新型存儲(chǔ)技術(shù)迎制程突破

        • 近日,三星電子對(duì)外表示,8nm版本的eMRAM開(kāi)發(fā)已基本完成,正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級(jí)。資料顯示,eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù),屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM(磁阻存儲(chǔ)器)。與傳統(tǒng)DRAM相比,eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性,不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù),同時(shí)寫(xiě)入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性,業(yè)界看好eMRAM未來(lái)前景,尤其是在對(duì)性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中,eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一,致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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        再添一家存儲(chǔ)廠商IPO過(guò)會(huì)!探究AI PC/手機(jī)存儲(chǔ)帶來(lái)的新變革

        • 在AI加持下,存儲(chǔ)市場(chǎng)今年起勢(shì)明顯,存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升、技術(shù)迭代步伐加速。近期,科創(chuàng)板再添一家存儲(chǔ)企業(yè)過(guò)會(huì),近半年以來(lái),我國(guó)已有三家存儲(chǔ)相關(guān)廠商成功上會(huì),另有一家武漢新芯正啟動(dòng)上市輔導(dǎo),四家廠商科創(chuàng)板IPO中止。從終端市場(chǎng)看,面對(duì)未來(lái),AI技術(shù)對(duì)手機(jī)及PC應(yīng)用市場(chǎng)提出了新的存儲(chǔ)要求,以下將關(guān)注到AI給手機(jī)、PC端的最新變化。新“國(guó)九條”后聯(lián)蕓科技科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì)5月31日,上交所發(fā)布公告稱,通過(guò)了科創(chuàng)板擬IPO企業(yè)聯(lián)蕓科技(杭州)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)蕓科技”)的發(fā)行上市申請(qǐng)。公開(kāi)資料顯示,聯(lián)蕓科技
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        業(yè)內(nèi)首發(fā)單芯片 USB4 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán),宇瞻宣布參加 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展

        • IT之家 5 月 31 日消息,存儲(chǔ)模組企業(yè)宇瞻昨日宣布將在 6 月 4 日開(kāi)幕的 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上以“智慧引領(lǐng) 前瞻未來(lái)”為主軸,帶來(lái)系列存儲(chǔ)新品。宇瞻將在展會(huì)上展出全球首款采用單芯片控制方案的 USB4 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。根據(jù)IT之家以往報(bào)道,群聯(lián)在 CES 2024 上就展示了符合宇瞻新聞稿中描述的單芯片主控 U21,該主控支持至大 8TB 容量,順序讀寫(xiě)均可達(dá) USB4 滿速。宇瞻還將帶來(lái)原生 DDR5-6400 的 DDR5 U-DIMM / SO-DIMM
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        江波龍DDR3L解決方案

        • DDR3L產(chǎn)品經(jīng)過(guò)40多項(xiàng)生產(chǎn)測(cè)試,滿足各種數(shù)據(jù)緩存需求。進(jìn)行了包括老化和高低溫壓力測(cè)試在內(nèi)的40多項(xiàng)生產(chǎn)測(cè)試,保證產(chǎn)品品質(zhì)可靠;采用25nm工藝,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn);滿足網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、智能終端各種數(shù)據(jù)緩存需求。該解決方案選型指南請(qǐng)下載:https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392549
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        江波龍F(tuán)ORESEE 儲(chǔ)存卡

        • 該產(chǎn)品采用江波龍自研固件,擁有自主開(kāi)發(fā)固件的能力;獲得多項(xiàng)核心技術(shù)專利;EPLUS系列與工規(guī)級(jí)microSD已通過(guò)樹(shù)莓派AVL兼容性認(rèn)證;廣泛應(yīng)用于安防監(jiān)控、工控、汽車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。更多相關(guān)資訊,請(qǐng)下載該方案白皮書(shū):https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392548
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        三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

        • 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實(shí)現(xiàn)pb級(jí)ssd。如果上述材料研發(fā)順利,將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測(cè),到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
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        存儲(chǔ)龍頭計(jì)劃興建新工廠!

        • 近期,日媒報(bào)道美光科技計(jì)劃在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片,美光計(jì)劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動(dòng)工,并安裝EUV設(shè)備,最快2027年投入運(yùn)營(yíng)。據(jù)悉,美光曾計(jì)劃該工廠能在2024年投入使用,然而由于當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性,美光調(diào)整了原定的時(shí)間表。近年日本積極出臺(tái)補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠,美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布,將為美光科技在廣島工廠的存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼,以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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        三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

        •  5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道,三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”,同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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        組臺(tái)電腦成本越來(lái)越高:除 CPU / GPU 之外,內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格也瘋漲

        • IT之家 5 月 20 日消息,各位網(wǎng)友,你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺(tái)電腦越來(lái)越貴了嗎?除了 CPU 和 GPU 兩個(gè)大件之外,內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也水漲船高,基本上所有零件都處于漲價(jià)狀態(tài)。固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點(diǎn),甚至連 DDR5 內(nèi)存的價(jià)格似乎也已觸底。然而,這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點(diǎn),簡(jiǎn)要介紹如下:固態(tài)硬盤(pán)科技媒體 xda-developers 追蹤觀測(cè)過(guò)去 6-7 個(gè)月亞馬遜平臺(tái)固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格,從 2023 年 10 月左右開(kāi)
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        國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)再起飛!

        • 在經(jīng)歷下行周期后,2023年第四季度開(kāi)始,存儲(chǔ)價(jià)格開(kāi)始止跌回暖,且從各大廠商公布的最新?tīng)I(yíng)收來(lái)看,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)回溫信號(hào)正逐漸凸顯。一)廠商業(yè)績(jī)釋放回溫信號(hào)從國(guó)際大廠來(lái)看,此前鎧俠、SK海力士、三星、美光、西部數(shù)據(jù)等公布的最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,在AI需求加持下,各大廠商營(yíng)收和利潤(rùn)均表現(xiàn)亮眼。其中,鎧俠、美光和西部數(shù)據(jù)均實(shí)現(xiàn)扭虧為盈,鎧俠2023財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)439億日元、凈利潤(rùn)103億日元;美光2024財(cái)年二財(cái)季GAAP凈利潤(rùn)為7.93億美元;西數(shù)今年一季度在Non-GAAP會(huì)計(jì)準(zhǔn)則下,凈利潤(rùn)為2.
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        邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)

        • IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道,三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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        華邦電子安全閃存新動(dòng)態(tài) 引領(lǐng)安全閃存市場(chǎng)新風(fēng)向

        • 在數(shù)字化浪潮席卷全球的今天,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與保護(hù)的重要性愈發(fā)凸顯。尤其在物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車電子等領(lǐng)域,對(duì)安全閃存產(chǎn)品的需求日益增長(zhǎng)。華邦電子,作為業(yè)界知名的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商,近日在線上舉辦了W77Q產(chǎn)品更新媒體會(huì),會(huì)上華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪和華邦電子技術(shù)經(jīng)理李亞玲,展示了其在安全閃存領(lǐng)域的最新成果與戰(zhàn)略布局。W77Q與W75F:安全存儲(chǔ)的雙子星華邦電子在安全閃存領(lǐng)域擁有兩大核心產(chǎn)品:W77Q和W75F。這兩款產(chǎn)品針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景和安全需求,展現(xiàn)了華邦電子在安全閃存技術(shù)方面的深厚實(shí)力。據(jù)華邦電子技術(shù)經(jīng)理
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        存儲(chǔ)介紹

        存儲(chǔ)   cún chǔ   (存存儲(chǔ)儲(chǔ))   1.把錢或物等積存起來(lái)。《清會(huì)典事例·戶部·庫(kù)藏》:“戶部奏部庫(kù)空虛,應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)。”《清會(huì)典·戶部倉(cāng)場(chǎng)衙門·侍郎職掌》:“每年新漕進(jìn)倉(cāng),倉(cāng)場(chǎng)酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ),將某倉(cāng)存儲(chǔ)某年米色數(shù)目,造冊(cè)先期咨部存案。” 魯迅 《書(shū)信集·致李小峰》:“《舊時(shí)代之死》之作者之家族,現(xiàn)頗窘,幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ),作孩子讀書(shū)之用。”   2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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