未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)品將導(dǎo)入Chiplet技術(shù)

隨著人工智能、云計(jì)算等技術(shù)的快速發(fā)展，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的變革。據(jù)悉，三星電子、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭紛紛加大在新技術(shù)領(lǐng)域的投入，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的快速變化和競(jìng)爭(zhēng)壓力，搶占市場(chǎng)份額和商業(yè)機(jī)會(huì)。

在這些新技術(shù)中，CXL和定制芯片、chiplet技術(shù)尤為引人關(guān)注，成為了各大存儲(chǔ)大廠競(jìng)相角逐的新戰(zhàn)場(chǎng)。

綜合韓媒報(bào)道，SK海力士副總裁文起一在學(xué)術(shù)會(huì)議上稱，Chiplet芯粒/小芯片技術(shù)將在2~3年后應(yīng)用于DRAM和NAND產(chǎn)品。值得注意的是，SK海力士正在內(nèi)部開(kāi)發(fā)Chiplet技術(shù)，不僅加入了UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，也已于2023年在全球范圍內(nèi)申請(qǐng)注冊(cè)了用于 Chiplet技術(shù)的MOSAIC商標(biāo)。

▲ SK 海力士 HBM3E 內(nèi)存

文起一在會(huì)議上還表示，用于連接HBM內(nèi)存各層裸片的新興工藝混合鍵合目前面臨諸多挑戰(zhàn)，但該工藝仍將是未來(lái)方向?；旌湘I合對(duì)CMP（注：化學(xué)機(jī)械拋光）加工步驟提出了更高精細(xì)度要求；此外封裝加工引起的碎屑污染問(wèn)題也對(duì)HBM內(nèi)存的良率造成明顯影響。

但并非所有存儲(chǔ)產(chǎn)品控制器功能都需要使用先進(jìn)工藝，采用Chiplet設(shè)計(jì)可將對(duì)工藝要求較低的功能模塊剝離到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影響功能實(shí)現(xiàn)的同時(shí)大幅降低成本。